Перечень оказываемых услуг ЦКП

Измерение спектров оптического пропускания и отражения твердотельных образцов и жидкостей в ближнем, среднем и дальнем ИК диапазонах (1 – 28 мкм) методом Фурье-спектроскопии.

Измерение спектров оптического пропускания и отражения, фотолюминесценции и фотоэлектрических эффектов (фотопроводимости, фотоЭДС и т.п.) твердотельных образцов (диапазон температур 8 – 400 К) и жидкостей в УФ, видимом и ближнем ИК диапазонах (0,2 – 3 мкм).

Исследование морфологии, атомной структуры, механических и электрофизических свойств поверхности твердотельных образцов методами сканирующей туннельной микроскопи/спектроскопии (СТМ/СТС) и атомно-силовой микроскопии (АСМ) в сверхвысоком вакууме (СВВ).

Анализ элементного состава твердотельных образцов методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС) и электронной Оже-спектроскопии (ЭОС), в том числе – послойный, с профилированием состава по глубине.

Исследование морфологии и электрофизических свойств поверхности твердотельных образцов методом растровой электронной микроскопии (РЭМ).

Исследование пространственного распределения элементного состава по поверхности твердотельных образцов с нанометровым пространственным разрешением методом растровой Оже-микроскопии.

Исследование морфологии, механических, электрофизических и магнитных свойств поверхности твердотельных образцов в атмосферных условиях и в жидкости методами СТМ/СТС и АСМ.

Исследование морфологии и механических свойств поверхности биологических объектов (клеток и т.п.) в жидкой среде методом АСМ.

Исследование морфологии и оптических свойств (коэффициент оптического пропускания, отражения, интенсивность фото- и электролюминесценции и т.п.) твердотельных образцов, а также элементов и проборов оптоэлектроники (полупроводниковых лазеров, волоконных и планарных оптических волноводов и т.п.) методом сканирующей ближнепольной оптической микроскопии (СБОМ).

Измерение высоты энергетических барьеров в полупроводниковых гетероструктурах и структурах металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) методом баллистической электронной эмиссионной микроскопии (БЭЭМ).

Проведение структурных исследований микро- и наносистем методом просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) высокого разрешения, в том числе – на поперечных срезах.