Задачи

  1. Рассчитать длину волны де Бройля для электрона для Ge, Si, GeAs, InAs, InSb при температурах T=4.2К; 77К; 300К.
  2. Найти зависимость энергии размерного квантования электронов, легких и тяжелых дырок в квантовой яме, образованной слоем GaAs в твердом растворе Al0.3Ga0.7As от ширины ямы L в диапазоне L=5-200A. T=300K. Построить огибающие волновые функции для L=50А.
  3. Найти зависимость энергий размерного квантования электронов и дырок в квантовых точках сферической формы Si в SiO2 от диаметра кластера D в диапазоне D=5-200 А. T=300K.
  4. Найти зависимость энергии кулоновской блокады электронов в сферической капле Zr диаметром D в пленке ZrO2 толщиной 40А от D. Рассмотреть 2 случая: 1) Капля находится посередине пленки; 2) центр капли находится в 10А от границы пленки.
  5. Найти спектр двойной КЯ Al0.3Ga0.7As/GaAs. Построить зависимость энергии уровней электронов и дырок от толщины барьеров Lb в диапазоне Lb=5-100 А при 3-х значениях ширины ям LW=20, 50 и 100А.
  6. Найти спектр СР Al0.3Ga0.7As/GaAs в модели Кронига – Пенни и в приближении сильной связи. Построить зависимость энергии границ минизон от толщины барьеров Lb в диапазоне Lb=5-100 А при 3-х значениях ширины ям LW=20, 50 и 100А.
  7. Дана двухбарьерная структура Al0.3Ga0.7As/GaAs 50/50/50 А. Построить зависимость коэффициента туннельной прозрачности структуры для электронов от энергии электрона Т(Е).