Лаборатория рентгено-дифракционных и электронно-микроскопических методов исследования
Сотрудники лаборатории
Оборудование лаборатории
Решаемые задачи
В настоящее время на дифрактометре решаются следующие задачи:
- Исследуется фазовый состав тонких ~ 80 нм поликристаллических пленок, облученных ионами золота и кремния.
- Методами высокоразрешающей дифрактометрии (XRXRD) исследуются различные гетероструктуры, такие как GaAsAl1-xAs, Si1-xGex/Si, InGa1-xP/GaAs(100) и др. Определяется:
- состав твердого раствора;
- нормальные и латеральные напряжения;
- толщина слоев и их дефектность.
- Методами рефлектометрии (XRR) исследуются параметры (шероховатость и толщина) аморфных и поликристаллических пленок.
- Определяется угол разориентации кристаллических подложек и их структурное совершенство.
Сотрудничество
С институтами:
- Институт физики микроструктур РАН (ИФМ РАН);
- Российский федеральный ядерный центр – Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики (РФЯЦ-ВНИИЭФ).
С кафедрами и лабораториями ННГУ и НИФТИ:
- кафедра полупроводников и оптоэлектроники ННГУ;
- лаборатория физики и технологии тонких пленок НИФТИ ННГУ (лаб.2.1);
- лаборатория электроники твердого тела НИФТИ ННГУ;
- лаборатория эпитаксиальных структур (лаб.2.4);
- отдел физики металлов (отдел №5) НИФТИ ННГУ.
Направления исследований (результаты)
- А.С. Маркелов, В.Н.Трушин, Е.В.Чупрунов. Особенности формирования контраста рентгеновских изображений при дифракции рентгеновских лучей от поверхности кристаллов, имеющих колончатую структуру.// Нано-и микросистемная техника. 2009. №.1, стр.16-18.
- Трушин В.Н., Маркелов А.С, Чупрунов Е.В. Формирований рентгеновских изображений при дифракции рентгеновских лучей от поверхности кристаллов, имеющих колончатую структуру // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтронные исслед. 2009. №.7, стр.46-51.
- В.Н. Трушин, А.С. Маркелов, Е.В. Чупрунов, Термоиндуцированное управление дисперсионными свойствами кристаллов// Известия РАН. Сер. физическая. – 2011. – том.75.-№1. – С. 1110-1113.
- В.Н. Трушин. Управляемая рентгеновская дифракционная оптика. Издательство LAP LAMBERT Academic Publishing, 02, 03, 2011, 252 стр.
- О.Н. Горшков, Д.А. Павлов, В.Н. Трушин, И.Н. Антонов, М.Е. Шенина, А.И. Бобров, А.С. Маркелов, А.Ю. Юдин., А.П. Касаткин. Особенности формирования нанокристаллов золота в стабилизированном диоксиде циркония методом ионной имплантации// Письма в ЖТФ, 2012, том 38, вып.4.
- Патент на изобретение № 2449394 от 07.10.2010. Опубликовано: 27.04.2012 Бюл. № 12, 12 стр. «Способ формирования рентгеновского излучения и рентгеновский монохроматор». Авторы Трушин В.Н., Маркелов А.С. Чупрунов Е.В.
- Е.В. Зайцева, А.C. Маркелов, В.Н. Трушин, Е.В. Чупрунов Особенности формирования рентгеновских изображений в двулучепреломляющих кристаллах. // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтронные исслед. -2012, №7, с.55-58.
- А.В. Марков, Е.В. Зайцева, В.Н. Трушин Некоторые возможности корректировки профиля параболической поверхности рентгеновских зеркал и способы их аппроксимации // Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтронные исслед. . -2013, №7, с.1-5.
- E. V. Zaitseva, A. S. Markelov, V. N. Trushin, and E. V. Chuprunov. Formation of Temperature Fields in Doped Anisotropic Crystals under Spatially Inhomogeneous Light Beams Passing through Them// Crystallography Reports, 2013, Vol. 58, No. 7, pp. 1048–1052.
- 10. A. V. Markov, E. V. Zaitseva, V. N. Trushin, and E. V. Chuprunov. Study of the Possibility of Interactive Control of the Surface Profile of X_Ray Optical Elements// Crystallography Reports, 2013, Vol. 58, No. 7, pp. 1043–1047
- Matveev S.A., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Shengurov V.G., Nikolichev D.E., Boryakov A.V., Trushin V.N., Pitirimova E.A. Structure and surface morphology of Si(1–x)Ge(x) layers grown on Si/Sapphire by Molecular Beam Epitaxy using a sublimation silicon source and gaseous germanium source// Inorganic Materials. V. 49. 2013. P. 749-753.
- Матвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Николичев Д.Е., Боряков А.В., Трушин В.Н., Питиримова Е.А. Структура и морфология поверхности слоев твердого раствора Si(1-X)Ge(X), выращенных на КНС-подложках методом МЛЭ с сублимационным кремниевым и газовым германиевым источниками // Неорганические материалы. Т. 49. № 7. 2013. С. 805-809.