Лаборатория рентгено-дифракционных и электронно-микроскопических методов исследования

Сотрудники лаборатории

Чупрунов Евгений Владимирович — научный руководитель 
Трушин Владимир Николаевич — ведущий научный сотрудник 
Маркелов Алексей Сергеевич — младший научный сотрудник  

Оборудование лаборатории 

Решаемые задачи

В настоящее время на дифрактометре решаются следующие задачи:
  1.  Исследуется фазовый состав тонких ~ 80 нм поликристаллических пленок, облученных ионами золота и кремния. 
  2. Методами высокоразрешающей дифрактометрии (XRXRD) исследуются различные гетероструктуры, такие как GaAsAl1-xAs, Si1-xGex/Si, InGa1-xP/GaAs(100) и др. Определяется:
    • состав твердого раствора;
    • нормальные и латеральные напряжения;
    • толщина слоев и их дефектность.
  3. Методами рефлектометрии (XRR) исследуются параметры (шероховатость и толщина) аморфных и поликристаллических пленок.
  4. Определяется угол разориентации кристаллических подложек и их структурное совершенство. 

Сотрудничество 

С институтами:
  • Институт физики микроструктур РАН (ИФМ РАН);
  • Российский федеральный ядерный центр – Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики (РФЯЦ-ВНИИЭФ).
С кафедрами и лабораториями ННГУ и НИФТИ:
  • кафедра полупроводников и оптоэлектроники ННГУ; 
  • лаборатория физики и технологии тонких пленок НИФТИ ННГУ (лаб.2.1); 
  • лаборатория электроники твердого тела НИФТИ ННГУ; 
  • лаборатория эпитаксиальных структур (лаб.2.4); 
  • отдел физики металлов (отдел №5) НИФТИ ННГУ.

Направления исследований (результаты)

  1. А.С. Маркелов, В.Н.Трушин, Е.В.Чупрунов. Особенности формирования контраста рентгеновских изображений при дифракции рентгеновских лучей от поверхности кристаллов, имеющих колончатую структуру.// Нано-и микросистемная техника. 2009. №.1, стр.16-18.
  2. Трушин В.Н., Маркелов А.С, Чупрунов Е.В. Формирований рентгеновских изображений при дифракции рентгеновских лучей от поверхности кристаллов, имеющих колончатую структуру // Поверхность. Рентген.,  синхротр. и нейтронные исслед. 2009. №.7, стр.46-51.
  3. В.Н. Трушин, А.С. Маркелов, Е.В. Чупрунов, Термоиндуцированное управление дисперсионными свойствами кристаллов// Известия РАН. Сер. физическая. – 2011. – том.75.-№1. – С. 1110-1113.
  4. В.Н. Трушин. Управляемая рентгеновская дифракционная оптика. Издательство  LAP LAMBERT Academic Publishing, 02, 03, 2011, 252 стр.
  5. О.Н. Горшков, Д.А. Павлов, В.Н. Трушин, И.Н. Антонов, М.Е. Шенина, А.И. Бобров, А.С. Маркелов, А.Ю. Юдин., А.П. Касаткин. Особенности формирования нанокристаллов золота в стабилизированном диоксиде циркония методом ионной имплантации// Письма в ЖТФ, 2012, том 38, вып.4.
  6. Патент на изобретение № 2449394 от  07.10.2010. Опубликовано: 27.04.2012 Бюл. № 12, 12 стр. «Способ формирования рентгеновского излучения и рентгеновский монохроматор». Авторы Трушин В.Н., Маркелов А.С. Чупрунов Е.В. 
  7. Е.В. Зайцева, А.C. Маркелов, В.Н. Трушин, Е.В. Чупрунов Особенности формирования рентгеновских изображений в двулучепреломляющих кристаллах. // Поверхность. Рентген.,  синхротр. и нейтронные исслед. -2012, №7, с.55-58. 
  8. А.В. Марков, Е.В. Зайцева, В.Н. Трушин Некоторые возможности корректировки профиля параболической поверхности рентгеновских зеркал и способы их аппроксимации // Поверхность. Рентген.,  синхротр. и нейтронные исслед. . -2013, №7, с.1-5.
  9. E. V. Zaitseva, A. S. Markelov, V. N. Trushin, and E. V. Chuprunov.  Formation of Temperature Fields in Doped Anisotropic Crystals under Spatially Inhomogeneous Light Beams Passing through Them// Crystallography Reports, 2013, Vol. 58, No. 7, pp. 1048–1052.
  10. 10. A. V. Markov, E. V. Zaitseva, V. N. Trushin, and E. V. Chuprunov. Study of the Possibility of Interactive Control of the Surface Profile of X_Ray Optical Elements// Crystallography Reports, 2013, Vol. 58, No. 7, pp. 1043–1047
  11. Matveev S.A., Denisov S.A., Chalkov V.Yu., Shengurov V.G., Nikolichev D.E., Boryakov A.V., Trushin V.N., Pitirimova E.A. Structure and surface morphology of Si(1–x)Ge(x) layers grown on Si/Sapphire by Molecular Beam Epitaxy using a sublimation silicon source and gaseous germanium source// Inorganic Materials. V. 49. 2013. P. 749-753.
  12. Матвеев С.А., Денисов С.А., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Николичев Д.Е., Боряков А.В., Трушин В.Н., Питиримова Е.А. Структура и морфология поверхности слоев твердого раствора Si(1-X)Ge(X), выращенных на КНС-подложках методом МЛЭ с сублимационным кремниевым и газовым германиевым источниками // Неорганические материалы. Т. 49. № 7. 2013. С. 805-809.