Лаборатория высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии

Сотрудники лаборатории

Павлов Дмитрий Алексеевич — научный руководитель

Усов Юрий Вадимович — инженер
Сушков Артем Александрович — инженер
Малехонова Наталья Викторовна — инженер
 

Оборудование лаборатории

Направления исследований (результаты)

  1. Хазанова С.В., Байдусь Н.В., Звонков Б.Н., Павлов Д.А., Малехонова Н.В., Дегтярев В.Е., Смотрин Д.С., Бобров И.А. Туннельно-связанные квантовые ямы InGaAs/GaAs: структура, состав и энергетический спектр //Физика и техника полупроводников.- 2012.- Т. 46, вып. 12.- С. 1510-1514.
  2. Тетельбаум Д. И., Михайлов А. Н., Гусейнов Д. В., Белов А. И., Костюк А. Б., Королев Д. С., Федонин М. П., Павлов Д. А., Бобров А. И., Николичев Д. Е., Боряков А. В. Влияние ионного облучения на морфологию, структуру и оптические свойства наночастиц золота, синтезированных в диэлектрических матрицах SiO2 И Al2O3 Поверхность.- 2012, № 8.- С. 58–64.
  3. Горшков О.Н., Павлов Д.А., Трушин В.Н., Антонов И.Н., Шенина М.Е., Бобров А.И., Маркелов А.С., Дудин А.Ю., Касаткин А.П. Особенности формирования нанокристаллов золота в стабилизированном диоксиде циркония //Письма в ЖТФ.- 2012.- Т. 38, вып. 4.- С. 60-65.
  4. Павлов Д. А., Шиляев П. А., Коротков Е. В., Кривулин Н. О., Бобров А. И. Исследование кнс-структур методами просвечивающей электронной микроскопии //Известия РАН. Серия Физическая.- 2012.- Т. 76, № 9.- С. 1115–1117.
  5. Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Шиляев П.А., Коротков Е.В., Гладышева В.А., Бобров А.И. Влияние дефектов на механические свойства эпитаксиальных слоев кремния на сапфире //Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского.- 2012. № 3(1).- С. 30-33.  
  6. Павлов Д.А., Шиляев П.А., Кривулин Н.О., Бобров А.И., Пирогов А.В. Структурная модификация кремния на сапфире //Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского.- 2013.- № 4(1).- С. 38-41.
  7. Грачев Д.А., Бобров А.И., Чугров И.А., Ершов А.В., Павлов Д.А. Массивы нанокристаллов кремния в матрице SiO2: структура и люминесцентные свойства //Научно-технические ведомости СПбГПУ.- 2013.- Т. 171, № 2.- С. 231-237.
  8. Ершов А.В., Чугров И.А., Тетельбаум Д.И., Машин А.И., Павлов Д.А., Нежданов А.В., Бобров А.И., Грачев Д.А. Термическая эволюция морфологии, структуры и оптических свойств многослойных нанопериодических систем, полученных путем вакуумного испарения SiO и SiO2 //Физика и техника полупроводников.- 2013.- Т. 47, вып. 4.- С. 460-465.
  9. Павлов Д.А., Шиляев П.А., Пирогов А.В., Кривулин Н.О., Бобров А.И., Пегасина М.Д. Анализ закономерностей роста при гетероэпитаксии кремния на сапфире//Физика и техника полупроводников.- 2013.- Т. 47, вып. 6.- С. 854-858.
  10. Бобров А.И., Горшков А.В., Гребенев И.В., Малехонова Н.В., Павлов Д.А., Пирогов А.В. Челябинский метеорит: нанокристаллы из космоса?//Вестник Нижегородского университета им Н.И. Лобачевского.- 2013. № 3(1), - С. 36-38. 
  11. Кривулин Н.О., Павлов Д.А., Шиляев П.А. Модель роста наноостровков кремния на сапфире //Физика и техника полупроводников.- 2013.- Т. 47, вып. 12.- С. 1621-1623.
  12. Королев Д.С., Костюк А.Б., Белов А.И., Михайлов А.Н., Дудин Ю.А., Бобров А.И., Малехонова Н.В., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И. Влияние режимов ионного синтеза и ионного легирования на эффект сенсибилизации излучения эрбиевых центров нанокластерами кремния в пленках диоксида кремния //Физика твердого тела.- 2013.- Т. 55, № 11.- С. 2243-2249.
  13. Герасименко Н.Н., Михайлов А.Н., Козловский В.В., Запорожан О.А., Медетов Н.А., Смирнов Д.И., Павлов Д.А., Бобров А.И. Структура и люминесценция кремния, облученного протонами //Перспективные материалы.- 2013.- № 8.- С. 18-23. http://elibrary.ru/item.asp?id=20155276.Translated version: Gerasimenko N.N., Mikhailov A.N., Kozlovskii V.V., Zaporozhan O.A., Medetov N.A., Smirnov D.I., Pavlov D.A., Bobrov A.I. Structure and Luminescence of Silicon Irradiated by Protons //Inorganic Materials: Applied Research.- 2014.- V. 5, No. 2.- P. 133–137. DOI: 10.1134/S2075113314020063.- Scopus.- Impact factor – 0,38.
  14. Михайлов А.Н., Белов А.И., Королев Д.С., Тимофеева А.О., Васильев В.К., Шушунов А.Н., Бобров А.И., Павлов Д.А., Тетельбаум Д.И., Шек Е.И. Влияние ионного легирования на фотолюминесценцию в кремнии, связанную с дислокациями, сформированными путем имплантации ионов Si+ //Физика и техника полупроводников.- 2014.- Т. 48, вып. 2.- С. 212-216.
  15. Ершов А.В., Павлов Д.А., Грачев Д.А., Бобров А.И., Карабанова И.А., Чугров И.А., Тетельбаум Д.И. Эволюция структурно-морфологических свойств при отжиге многослойной нанопериодической системы SiOx /ZrO2, содержащей нанокластеры кремния //Физика и техника полупроводников.- 2014.- Т. 48, вып. 1.- С. 44-48.
  16. Демидов Е.С., Карзанова М.В., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И., Белов А.И., Королев Д.С., Павлов Д.А., Бобров А.И., Горшков О.Н., Демидова Н.Е., Чигиринский Ю.И. Влияние ионного облучения на структуру и люминесцентные свойства пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями Er и Yb //Физика твердого тела.- 2014.- Т. 56, вып. 3.- С. 607-610. http://journals.ioffe.ru/ftt/2014/03/p607-610.pdfTranslated version: Demidov E.S., Karzanova M.V., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Belov A.I., Korolev D.S., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Gorshkov O.N., Demidova N.E., Chigirinskii Yu.I. Effect of Ion Irradiation on the Structure and Luminescence Characteristics of Porous Silicon Impregnated with Tungsten–Telluride Glass Doped by Er and Yb Impurities //Physics of the Solid State.- 2014.- V. 56, No. 3.- P. 631–634.- DOI: 10.1134/S1063783414030093.- Web of Science.-Impact factor - 0.769.
  17. Тихов С.В., Горшков О.Н., Павлов Д.А., Антонов И.Н., Бобров А.И., Касаткин А.П., Коряжкина М.Н., Шенина М.Е. Конденсаторы с нелинейными характеристиками на основе стабилизированного диоксида циркония с встроенными наночастицами золота //Письма в ЖТФ.- 2014.- Т. 40, № 9.- С. 9-17. http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/09/p9-16.pdfTranslated version: Tikhov S.V., Gorshkov O.N., Pavlov D.A., Antonov I.N., Bobrov A.I., Kasatkin A.P., Koryazhkina M.N., Shenina M.E. Capacitors with nonlinear characteristics based on stabilized zirconia with built-in gold nanoparticles //Technical Physics Letters.- 2014.- V. 40, No. 5.- P. 369-371.- DOI: 10.1134/S1063785014050137.- Web of Science.- Impact factor - 0.562.
  18. Pavlov D.A., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Pirogov A.V., Nezhdanov A.V. Self-assembled nanocrystals discovered in Chelyabinsk meteorite //Scientific Reports.- 2014.- V. 4, No. 4280.- P. 1-6.
  19. Pavlov D.A., Bobrov A.I., Novikov A.V., Sorokin D.S., Malekhonova N.V., Pirogov A.V., Nikolitchev D.E., Boryakov A.V. Investigation of deformations and strain fields in silicon matrix structures embedded with vertically stacked Ge(Si) self-assembled islands //Appl. Phys. Lett.- 2014.- V. 105, No. 161910.- P. 1-5.- DOI: 10.1063/1.4900554.- Web of Science.-Impact factor - 3.739.
  20. Kudrin A.V., Shvetsov A.V., Danilov Yu.A., Timopheev A.A., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Malekhonova N.V., Sobolev N.A. Anomalous Hall effect in two-phase semiconductor structures: The role of ferromagnetic inclusions //Phys. Rev. B. 2014.- V. 90, No. 024415.- P. 1-7.- DOI: 10.1103/PhysRevB.90.024415.- Web of Science.- Impact factor - 3.767.
  21. Дорохин М.В., Павлов Д.А., Бобров А.И., Данилов Ю.А., Дёмина П.Б., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Кудрин А.В., Малехонова Н.В., Малышева Е.И. Эпитаксиальное выращивание слоев MnGa/GaAs для диодов со спиновой инжекцией //Физика твердого тела.-2014.- Т. 56, вып. 10.- С. 2062-2065. http://journals.ioffe.ru/ftt/2014/10/p2062-2065.pdfTranslated version: Dorokhin M.V., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Danilov Yu.A., Demina P.B., Zvonkov B.N., Zdoroveishchev A.V., Kudrin A.V., Malekhonova N.V., Malysheva E.I. Epitaxial Growth of MnGa/GaAs Layers for Diodes with Spin Injection //Physics of the Solid State.- 2014.- V. 56, No.  10.- P. 2131-2134.- DOI: 10.1134/S1063783414100102.- Web of Science.-Impact factor - 0.782.
  22. Belyakov V.A., Sidorenko K.V., Konakov A.A., Ershov A.V., Chugrov I.A., Grachev D.A., Pavlov D.A., Bobrov A.I., Burdov V.A. Quenching the photoluminescence from Si nanocrystals of smaller sizes in dense ensembles due to migration processes //Journal of Luminescence.- 2014.- V. 155, No. 1.- P. 1–6.- DOI: 10.1016/j.jlumin.2014.05.038.- Web of Science.- Impact factor - 2.144.
  23. Tetelbaum D. I., Mikhaylov A. N., Belov A. I., Korolev D. S., A. N. Shushunov, Bobrov A. I., Pavlov D. A., Shek E. I., Sobolev N. A. Localization of dislocation-related luminescence centers in self-ion implanted silicon and effect of additional boron ion doping //Phys. Stat. Sol. (c).- 2014.- V. 11, No. 11-12.- P. 1-5.- DOI: 10.1002/pssc.201400099.
  24. Павлов Д.А., Байдусь Н.В., Бобров А.И., Вихрова О.В., Волкова Е.И., Звонков Б.Н., Малехонова Н.В., Сорокин Д.С. Исследование деформационных полей, возникающих при изовалентном легировании GaAs фосфором и индием //Физика и техника полупроводников.- 2015.- Т. 49, вып. 1.- С. 3-5. http://journals.ioffe.ru/ftp/2015/01/p3-5.pdfTranslated version: Pavlov D.A., Bidus N.V., Bobrov A.I., Vikhrova O.V., Volkova E.I., Zvonkov B.N., Malekhonova N.V., Sorokin D.S.Distribution of Elastic Strains Appearing in Gallium Arsenide as a Result of Doping with Isovalent Impurities of Phosphorus and Indium //Semiconductors.- 2015.- V. 49, No. 1.- P. 1–3. DOI: 10.1134/S1063782615010182.- Web of Science.- Impact factor - 0.600.
  25. Кривулин Н.О., Пирогов А.В., Павлов Д.А., Бобров А.И. Исследование кристаллической структуры наноостровков кремния на сапфире //Физика и техника полупроводников.- 2015.- Т. 49, вып. 2.- С. 160‑162. http://journals.ioffe.ru/ftp/2015/02/p160-162.pdf.
  26. Романова Ю.Ю., Додин Е.П., Ноздрин Ю.Н., Бирюков А.А., Байдусь Н.В., Павлов Д.А., Малехонова Н.В. Структурные, оптические и токовые исследования сверхрешеток со сложной элементарной ячейкой на основе AlGaAs //Физика и техника полупроводников.- 2015.- Т. 49, вып. 1.- С. 122‑127. http://journals.ioffe.ru/ftp/2015/01/p122-127.pdf.
  27. Хазанова С.В., Дегтярев В.Е., Малехонова Н.В., Павлов Д.А., Байдусь Н.В. Влияние технологических параметров роста на характеристики двойных туннельно-связанных ям InGaAs/GaAs //Физика и техника полупроводников.- 2015.- Т. 49, вып. 1.- С. 58-62.http://journals.ioffe.ru/ftp/2015/01/p58-62.pdf.
  28. Дикарева Н.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Малехонова Н.В., Павлов Д.А., Пирогов А.В. Влияние температурной обработки на излучательные свойства гетероструктур с квантово-размерным слоем GaAsSb //Физика и техника полупроводников.- 2015.- Т. 49, вып. 1.- С. 11-14. http://journals.ioffe.ru/ftp/2015/01/p11-14.pdf.
  29. Павлов Д.А., Пирогов А.В., Кривулин Н.О., Бобров А.И. Эпитаксиальный рост гексагональных политипов кремния на сапфире //Физика и техника полупроводников.- 2015.- Т. 49, вып. 1.- С. 98‑101. http://journals.ioffe.ru/ftp/2015/01/p98-101.pdf.


 

Некоторые наиболее интересные результаты

Aрхитектура микрочипа из карточки Московского метрополитена



распределение элементного состава

Снимок комплементарной пары транзисторов из микрочипа карты Московского метрополитена

Снимок поперечного сечения транзистора в области подзатворного диэлектрика

Снимок в атомном разрешении поперечного сечения пары германий-кремниевых наноостровков в кремниевой матрице

Снимок поперечного сечения углеродной нанотрубки

Структура из 100 барьеров AlGaAs/GaAs



Атомное разрешение квантовой ямы GaAs между барьерами AlGaAs