Публикации НОЦ 2002-2006 г.г.

2006 г.  
  • Д.О. Филатов, М.В. Круглова, М.А. Исаков, З.Ф.Красильник, Д.Н.Лобанов, А.В.Новиков / Исследование фотоэлектрических свойств гетероструктур GeSi/Si с самоформирующимися нанокластерами методом спектроскопии фотоЭДС на барьере полупроводник/электролит // Поверхность: рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2006, №2, С. 40-47.
  • Стронгин Р.Г., Максимов Г.А., Грудзинский А.О. / Университет как интегратор в обществе, основанном на знании // Высшее образование в России. – 2006. - № 1. - С.15-27.
  • В.П. Кузнецов, Д.Ю. Ремизов, В.Н. Шабанов, Р.А. Рубцова, М.В. Степихова, Д.И. Крыжков, А.Н. Шушунов, О.В. Белова, З.Ф. Красильник, Г.А. Максимов / Электролюминесценция на длине волны 1,54 мкм в структурах Si:Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии // Физика и техника полупроводников. – 2006. - Т. 40, вып.7. - С.868-875. 
  • СтронгинР.Г., Бедный Б.И., Максимов Г.А., Миронос А.А. / О совершенствовании системы подготовки специалистов высшей квалификации в аспирантуре. // Университетское направление: практика и анализ. – 2006. - № 2 (42). - С.45-51.
  • А.В.Гусев, О.Ф. Удалов, В.С. Красильников, Г.А. Максимов, А.В. Карнаухов, О. А. Кузнецов, Е.А. Ускова / Эпитаксиальные слои кремния, полученные CVD-методом из высокочистого силана. // Неорганические материалы. – 2006. – Т. 42, №8. С.903-907.
  • G.A. Maximov, Z.F. Krasil’nik, A.V. Novikov, V.G. Shengurov, D.O. Filatov. D.E. Nikolitchev, V.F. Dryakhlushin, K.P. Gaikovich / Composition Analysis of Single GeSi/Si Nanoclusters by Scanning Auger Microscopy // Progress in Nanotechnology Research, Ed. by E.Duote // Nova Science, New York. - 2006. - P. 87-123.
  • В.Д. Борман, П.В. Борисюк, В.В. Лебидько, М.А. Пушкин, В.Н. Тронин, В.И. Троян, Д.А. Антонов, Д.О. Филатов / Исследование многочастичных явлений в нанокластерах благородных металлов (Au, Cu) вблизи их перехода в неметаллическое состояние // Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики. – 2006. – Т.129, вып. 1. - C.1-13.
  • И.А. Карпович, С.В. Тихов, Е.Л. Шоболов, И.А. Андрющенко / Образование дефектов в GaAs и Si при осаждении Pd на поверхность // Физика и техника полупроводников. 2006, Т40, № 3, С 319 – 323.
  • А.П. Горшков, И.А. Карпович, А.В. Кудрин / Исследование эффекта Штарка в гетеронаноструктурах с квантовыми точками и ямами In(Ga)As/GaAs методом фотоэлектрической спектроскопии // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2006. - № 5. - С. 25-29.
  • Е.А. Ускова, М.В. Дорохин, Б.Н. Звонков, П.Б. Демина, Е.И. Малышева, Е.А. Питиримова, Ф.З. Гильмутдинов / Исследование свойств границы раздела Ni/GaAs, Co/GaAs в светоизлучающих диодах на основе квантово-размерных гетероструктур In(Ga)As/GaAs // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2006. - № 2. С. 89-95.
  • А.Chahboun, N.V. Baidus, P.B. Demina, B.N. Zvonkov, M.J.M. Gomes, A. Cavaco, N.A. Sobolev, M.C. Carmo, and M.I. Vasilevskiy / Influence of matrix defects on the photoluminescence of InAs self-assembled quantum dots // Physyca Status Solidi (A) 203. - 2006. - № 6. - P. 1348–1352.
  • М.В. Дорохин, С.В. Зайцев, В.Д. Кулаковский, Н.В. Байдусь, Ю.А. Данилов, П.Б. Демина, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова / Циркулярно-поляризованная электролюминесценция квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs с контактом Шоттки ферромагнитный металл/GaAs // Письма в ЖТФ. – 2006. - Т. 32, В.24. - С.46-52.
  • Д.О. Филатов, М.В. Круглова, М.А. Исаков, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков / Исследование фотоэлектрических свойств гетероструктур GeSi/Si с самоформирующимися нанокластерами методом спектроскопии фотоЭДС на барьере полупроводник/электролит // Поверхность: рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2006. - № 2. - С. 40-47. 
  • Kulbachinskii V.A., Lunin R.A., Gurin P.V., Perov N.S., Sheverdyaeva P.M., Danilov Yu.A. / Transport and magnetic properties of Mn- and Mg-implanted GaAs layers // J.Magn. Magn. Materials. – 2006. - v.300. - P.e20-e23.
  • Danilov Yu.A., Demidov E.S., Drozdov Yu.N., Lesnikov V.P., Podolskii V.V., Sapozhnikov M.V., Kasatkin A.P. / Ferromagnetism in epitaxial layers of gallium and indium antimonides and indium arsenide supersaturated by manganese impurity // J.Magn. Magn. Materials. – 2006. v.300. -P.e24-e27. 
  • Danilov Yu.A., Lesnikov V.P., Nozdrin Yu.N., Podolskii V.V., Sapozhnikov M.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. / Ferromagnetism in Mn-doped GaAs layers: Effects of laser annealing // J.Magn. Magn. Materials. 2006. -v.300. - P.e28-e31. 
  • Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Лесников В.П., Ноздрин Ю.Н., Подольский В.В., Сапожников М.В. / Ферромагнетизм в слоях GaAs, легированного марганцем: эффекты лазерного отжига // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2006. в.2.  C.12-17. 
  • Демидов Е.С., Данилов Ю.А., Подольский В.В., Лесников В.П., Сапожников М.В., Сучков / Ферромагнетизм в эпитаксиальных слоях германия и кремния, пересыщенных примесями марганца и железа // Письма в Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики.  2006. T. 83, в.12. - C.664-667. 
  • Дорохин М.В., Зайцев С.В., Кулаковский В.Д., Байдусь Н.В., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Звонков Б.Н., Ускова Е.А. / Циркулярно-поляризованная электролюминесценция квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs с контактом Шоттки «ферромагнитный металл/GaAs» // Письма в Журнал Технической Физики. – 2006. - T. 32, в.24. - C.46-52.
  • Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Червяков А.В. / Исследование процесса активации ионно-имплантированного марганца в GaAs методами комбинационного рассеяния света и фотоотражения // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2006. - В.7. - C.91-94.
  • А.В. Нежданов, А.И. Машин, А.Г. Разуваев, А.В. Ершов, С.К. Игнатов / Кремниевые нанопроволоки. Структура и свойства // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2006. – № 2. – С. 36-39.
  • D.V. Guseinov, A.A. Ezhevskii, C.A.J. Ammerlaan / The contribution of 29Si ligand superhyperfine interactions to the line width of paramagnetic centers in silicon // Physica B. -2006. – V. 381 – P. 164.
  • Ким Е.Л., Кацман В.И., Воронцов В.В., Ершов В.П., Портнов В.Н., Воронцов Д.А. / Ростовые дефекты профилированных кристаллов KDP, выращенных скоростным методом из точечной затравки // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. - 2006. - № 1(9). - C.118.
  • Воронцов Д.А., Ершов В.П. / Методика оценки качества растворов для выращивания кристаллов DKDP // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского.- 2006. - № 1(9). - C.132.
  • Е.В. Алексеев, Е.В. Сулейманов, Е.В. Чупрунов, М.О. Марычев, В.А. Иванов, Г.К. Фукин / Кристаллическая структура и некоторые нелинейные оптические свойства соединения K2UO2(SO4)22H2O при температуре 293 K //Кристаллография. - 2006. - Т.51, №1. - С.36-40.
  • Alekseev, E.V., Sulemanov, E.V., Chuprunov, M.O. Marychev, V.A., Ivanov, and G.K. Fukin / Structure and Nonlinear Optical Properties of the K2UO2(SO4)2_2H2O Compound at 293 KV // Crystallography Reports. - 2006. V. 51, No.1. - P.29-33.
  • K.V.Marem’yanin, S.M.Nekorkin, A.A.Birukov, S.V.Morozov, V.Ya.Aleshkin, V.I.Gavrilenko, Vl.V. Kocharovsky / Parametric generation of mid IR radiation in GaAs/InGaAs/InGaP lasers and waveguides. // Narrow Gap Semiconductors, IBSN No 0750310162. p. 365-370.
  • Д.О.Филатов, М.В.Круглова, М.А.Исаков и др. / Исследование фотоэлектрических свойств гетероструктур GeSi/Si с самоформирующимися нанокластерами методом спектроскопии фотоЭДС на барьере полупроводник/электролит // Поверхность: рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2006. - №2. - С.40 - 47.
  • А. В. Гусев, О. Ф. Удалов, В. С. Красильников, Г.А.Максимов, А. В. Карнаухов, О. А. Кузнецов, Е. А. Ускова / Эпитаксиальные слои кремния, полученные CVD-методом из высокочистого силана // Неорганические материалы. – 2006. – Т.42, №8. – С. 903-907.
  • В. П. Кузнецов, Д. Ю. Ремизов, О.В. Белова, З. Ф. Красильник, Г. А. Максимов / Электролюминесценция на длине волны 1,54 мкм в структурах Si:Er/Si/, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии // Физика и техника полупроводников. – 2006. – Т. 40, вып.7. – С.868-875.
  • Е.В. Алексеев, О.Н. Горшков, Е.В. Чупрунов, В.А. Новиков, А.П. Касаткин, Г.К. Фукин / Исследование особенностей изменения кристаллической структуры стабилизированного диоксида циркония при термохимическом восстановлении // Кристаллография. - 2006. - Т.51, №4. - С. 672-675.
  • Е.А. Ускова, М.В. Дорохин, Б.Н. Звонков, П.Б. Демина, Е.И. Малышева, Е.А. Питиримова, Ф.З. Гильмутдинов / Исследование свойств границы раздела Ni/GaAs, Co/GaAs в светоизлучающих диодах на основе квантово-размерных гетероструктур In(Ga)As/GaAs // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2006. - № 2. - С.89-95. 
  • М.В. Дорохин, С.В. Зайцев, В.Д. Кулаковский, Н.В. Байдусь, Ю.А. Данилов, П.Б. Демина, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова / Циркулярно-поляризованная электролюминесценция квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs с контактом Шоттки ферромагнитный металл/GaAs // Письма в ЖТФ. – 2006. - Т.32, №24. - С.46-52.
  • V.A. Kulbachinskii, R.A. Lunin, P.V. Gurin, B.A. Aronzon, A.B. Davydov, V.V. Rylkov, Yu.A. Danilov, O.V. Vikhrova, B.N. Zvonkov / Transport and magnetotransport properties of Mn-doped InxGa1-xAs/GaAs quantum well structures // J.Magn. Materials. – 2006. - V.300. - P.e16-e19.
  • D.I. Tetelbaum, O.N. Gorshkov, A.V. Ershov, A.P. Kasatkin, V.A. Kamin, A.N. Mikhaylov, A.I. Belov, D.M. Gaponova, L. Pavesi, L. Ferraioli, T.G. Finstad, S. Foss / The nature of oxide matrix on the photoluminescence spectrum of ion-synthesized silicon nanostructures // Thin Solid Films. – 2006. – Vol.515, No.1-2. – С.333-337.
  • A.I. Kovalev, D.L. Wainstein, D.I. Tetelbaum / Investigation of electronic structure of Si nanocrystals and their interface with host matrix in P-doped SiO2:Si and Al2O3:Si nanocomposites // Thin Solid Films. – 2006. – Vol.515, No.2. – С.591-595.
  • A.I. Kovalev, D.L. Wainstein, D.I. Tetelbaum, A.N. Mikhailov / The peculiarities of electronic structure of Si nanocrystals formed in SiO2 and Al2O3 matrix with and without P doping // Surf. and Interf. Anal. – 2006. – Vol.38. – С.433-436. 
  • Г.А. Качурин, С.Г. Черкова, В.А. Володин, Д.В. Марин, Д.И. Тетельбаум, H. Becker / Влияние имплантации ионов бора и последующих отжигов на свойства нанокристаллов Si // ФТП. – 2006. – Т.40, №1. – С.75-81.
  • Д.И. Тетельбаум, А.Н. Михайлов, О.Н. Горшков, А.П. Касаткин, В.А. Бурдов, А.В. Ершов, А.И. Белов, Д.А. Камбаров, В.К. Васильев, А.И. Ковалев, Д.Л. Вайнштейн, Д.М. Гапонова, R. Turan, S. Yerci, L. Pavesi, L. Ferraioli, T.G. Finstad, S. Foss / Свойства нанокристаллов кремния, сформированных и легированных методом ионной имплантации в различных оксидных матрицах // Нанотехника. – 2006. – №3. – С.36-52.
  • N. V. Baidus, M. I. Vasilevskiy, and M. J. M. Gomes, M. V. Dorokhin, P. B. Demina, E. A. Uskova, B. N. Zvonkov, V. D. Kulakovskii, A. S. Brichkin, A. V. Chernenko, S. V. Zaitsev / Electrical spin injection in forward biased Schottky diodes based on InGaAs–GaAs quantum well heterostructures // Appl. Phys. Lett.  2006. 89, 181118. 
  • Е.А. Ускова, М.В. Дорохин, Б.Н. Звонков, П.Б. Дёмина, Е.И. Малышева, Е.А. Питиримова, Ф.З. Гильмутдинов / Исследование свойств границы раздела Ni (Co)/GaAs в светоизлучающих диодах на основе квантово-размерных гетероструктур In(Ga)As/GaAs // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 2006, в.2, с 89 – 95. 

2005 г. 

  • И.А. Карпович, А.В. Здоровейщев, С.В. Тихов, П.Б. Демина, О.Е. Хапугин. / Влияние электрохимической модификации тонкого покровного слоя Ga(In)As на энергетический спектр квантовых точек InAs/GaAs. // ФТП. 2005, 39, № 1, 45 - 48. 
  • Ежевский А.А., Лебедев М.Ю., Морозов С.В. / Фотолюминесценция нанокристаллического кремния, полученного методом имплантации ионов инертных газов. // ФТТ. 2005 – Т. 47, Вып. 1 – С. 22-25. 
  • Ezhevski A.A., Lebedev M.Yu., Morozov S.V. / Photoluminescence of Nanocrystalline Silicon formed by Rare Gas Ions Implantation // Physics of the Solid State – 2005 - Vol. 47, No. 1. P. 18–21.
  • Г.А. Максимов, З.Ф.Красильник, Д.О.Филатов, М.В.Круглова, С.В.Морозов, Д.Ю.Ремизов, Д.Е.Николичев, В.Г.Шенгуров / Фотоэлектрические свойства и электролюминесценция p-i-n диодов на основе гетероструктур с самоорганизованными нанокластерами GeSi/Si // ФТТ, 2005. 47, 26.
  • В.Я. Алешкин, В.И. Гавриленко, С.В. Морозов, Б.Н. Звонков, С.М. Некоркин, К.В. Маремьянин / Наблюдение излучения среднего ИК диапазона в полупроводниковых лазерах генерирующих две частотные полосы в ближнем ИК диапазоне // ФТП, т. 39, №1, с. 153-157, (2005).
  • Г.А. Максимов, З.Ф. расильник, Д.О. Филатов, М.В. Круглова, С.В. Морозов, Д.Ю.Ремизов, Д.Е. Николичев, В.Г. Шенгуров / Фотоэлектрические свойства и электролюминесценция p – i – n диодов на основе гетероструктур с самоорганизованными нанокластерами GeSi/Si // ФТТ. 2005. т.47, Вып.1, с26. 
  • Д.И. Тетельбаум, О.Н. Горшков, А.П. Касаткин, А.Н. Михайлов, А.И. Белов, Д.М. Гапонова, С.В. Морозов. О влиянии процесса коалесценции и характера исходного оксида на фотолюминесценцию ионно-синтезированных нанокристаллов Si в SiO2. ФТТ. 2005. Т.41. В.1. С.17-21.
  • D.I. Tetelbaum, O.N. Gorshkov, A.P. Kasatkin, A.N. Mikhaylov, A.I. Belov, D.M. Gaponova, S.V. Morozov / Effect of coalescence and of the character of the initial oxide on the photoluminescence of ion-synthesized Si nanocrystals in SiO2 // Phys. Sol. State. 2005. V.47. No.1. P.13-17.
  • Г.А. Качурин, В.А. Володин, Д.И. Тетельбаум, Д.В. Марин, А.Ф. Лейер, А.К. Гутаковский, А.Г. Черков, А.Н. Михайлов / Формирование кремниевых нанокристаллов в слоях SiO2 при имплантации ионов Si с промежуточными отжигами // ФТП. 2005. Т.39. В.5. С.582-586.
  • D.N. Lobanov, A.V. Novikov, N.V. Vostokov, Y.N. Drozdov, A.N. Yablonskiy, Z.F. Krasilnik, M. Stoffel, U. Denker, O.G. Schmidt / Growth and photoluminescence of Ge(Si) self-assembled islands obtained during the deposition of Ge on a strained SiGe layer // Optical Materials 27, pp. 818-821 (2005).
  • Н.В. Востоков, Ю.Н. Дроздов, О.А. Кузнецов, З.Ф. Красильник, А.В. Новиков, В.А. Перевозщиков, М.В. Шалев / Релаксированные Si1-xGex/Si(001) буферные слои, выращенные методом газофазной эпитаксии при атмосферном давлении // ФТТ т.47(1), стр.44-46 (2005).
  • А.В. Антонов, В.Я. Алешкин, В.И. Гавриленко, З.Ф. Красильник, А.В. Новиков, М.В. Шалев / Отрицательная фотопроводимость в среднем ИК диапазоне селективно легированных гетероструктур SiGe/Si:B с двумерным дырочным газом // ФТТ т.47(1), стр.47-49 (2005).
  • Н.В. Востоков, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, А.Н. Яблонский / Влияние предосаждения Si1-xGex слоя на рост Ge(Si)/Si(001) самоформирующихся островков // ФТТ т.47(1), стр.29-32 (2005).
  • Н.В. Востоков, З.Ф. Kрасильник, Д.Н. Лобанов, A.В. Новиков, М.В. Шалеев, A.Н. Яблонский / Влияние скорости осаждения Ge на рост и фотолюминесценцию Ge(Si)/Si(001) самоформирующихся островков // ФТТ т.47(1), стр.41-43 (2005).
  • М.Я. Валах, Р.Ю. Голиней, В.Н. Джаган, З.Ф. Красильник, О.С. Литвин, Д.Н. Лобанов, А.Г. Милехин, А.И. Никифоров, А.В. Новиков, О.П. Пчеляков, В.А. Юхимчук / Спектроскопия комбинационного рассеяния света и электроотражение самоорганизованных SiGe-наноостровков, сформированных при различных температурах // ФТТ т.47(1), стр.54-57 (2005).
  • Ю.Ю. Гущина, С.Н. Плескова, М.Б. Звонкова / Исследование различий морфологических параметров клеток крови человека методом сканирующей зондовой микроскопии // Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования. 2005, №1, с. 48 – 53.
  • Г.А. Максимов, З.Ф. Красильник, Д.О. Филатов, М.В. Круглова, С.В. Морозов, Д.Ю. Ремизов, Д.Е. Николичев, В.Г. Шенгуров / Фотоэлектрические свойства и электролюминесценция p–i–n диодов на основе гетероструктур с самоорганизованными нанокластерами GeSi/Si // ФТТ 47, 26 (2005).
  • Максимов Г.А., Николичев Д.Е., Филатов Д.О. / Локальный анализ нанокластеров GeSi/Si методом растровой Оже-микроскопии // Нано- и микросистемная техника. 2005, №5.
  • Гайкович К.П., Дряхлушин В.Ф., Николичев Д.Е. / Деконволюция изображений в сканирующей Оже-микроскопии и в сканирующей электронной микроскопии // Нано- и микросистемная техника. 2005, №5.
  • Г.А. Максимов, З.Ф. Красильник, Д.О. Филатов, М.В. Круглова, С.В. Морозов, Д.Ю. Ремизов, Д.Е. Николичев, В.Г. Шенгуров / Фотоэлектрические свойства и электролюминесценция p – i – n диодов на основе гетероструктур с самоорганизованными нанокластерами GeSi/Si // ФТТ. 2005. т.47, Вып.1, с. 26. 
  • Vorontsov D.A., Portnov V.N., Chuprunov E.V. / Effect of impurity adsorption on the growth of Rochelle Salt crystals // Crystallography Reports, 2005, v.50, suppl.1, pp.S82S87.
  • A.N. Mikhaylov, D.I. Tetelbaum, O.N. Gorshkov, A.P. Kasatkin, A.I. Belov, S.V. Morozov / Ion beam synthesis of Si nanocrystals in silicon dioxide and sapphire matrices – the photoluminescence study // Vacuum. 2005. V.78. No.2-4. P.519-524.
  • Ezhevski A.A., Lebedev M.Yu., Morozov S.V. / Photoluminescence of Nanocrystalline Silicon formed by Rare Gas Ions Implantation // Physics of the Solid State – 2005 - Vol. 47, No. 1 – P. 18–21.
  • Ю.В. Васильева, Ю.А. Данилов, А.А. Ершов, Б.Н. Звонков, Е.А. Ускова, А.Б. Давыдов, Б.А. Аронзон, С.В. Гуденко, В.В. Рыльков, А.Б. Грановский Е.А. Ганьшина, Н.С. Перов, А.Н. Виноградов / Свойства структур на основе GaAs, легированного Mn из лазерной плазмы в процессе МОС-гидридной эпитаксии // ФТП. 2005. Т.39. Вып.1. С.87-91.
  • В.Я. Алешкин, Б.Н. Звонков, С.М. Некоркин, В.В. Кочаровский / Конкуренция мод, неустойчивость и генерация вторых гармоник в двухчастотных InGaAs/GaAs/InGaP лазерах // ФТП. 2005. Т.39. Вып. 1. С.171-175.
  • A.A. Biryukov, V.YA. Aleshkin, S.M. Nekorkin, V.V. Kocharovsky, Vl.V. Kocharovsky, B.N. Zvonkov, M.O. Scully / Non-linear wave mixing in GaAs/InGaAs/InGaP butt-joint diode lasers // J. Modern Optics. 2005. V.52. No16. P.2323-2330. 
  • Ю.Ю. Гущина, С.Н. Плескова, М.Б. Звонкова / Исследование различий морфологических параметров клеток крови человека методом сканирующей зондовой микроскопии // Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования. - 2005, №1. - С. 48 – 53.
  • Чувильдеев В.Н., Грязнов М.Ю., Копылов В.И., Сысоев А.Н. / Низкотемпературная сверхпластичность и зернограничное внутреннее трение микрокристаллических магниевых сплавов // Металлы. 2005, №5, с. 36-42.
  • D.I. Tetelbaum, O.N. Gorshkov, A.P. Kasatkin, A.N. Mikhaylov, A.I. Belov, D.M. Gaponova, S.V. Morozov / Effect of coalescence and of the character of the initial oxide on the photoluminescence of ion-synthesized Si nanocrystals in SiO2 // Phys. Sol. State. 2005. V.47. No.1. P.13-17.
  • N.V. Baidus’, P.B. Demina, M.V. Dorokhin, B.N. Zvonkov, E.I. Malysheva, E.A. Uskova / Effect of an interfacial oxide layer on the electroluminescence efficiency of metal-quantum-confined semiconductor heterostructures // Semiconductors. 2005. V.39, N.1. Pp.17-21.
  • Н.В. Байдусь, П.Б. Демина, М.В. Дорохин, Б.Н. Звонков, Е.И. Малышева, Е.А. Ускова / Влияние промежуточного окисного слоя в гетероструктурах металл–квантово-размерный полупроводникIn(Ga)As/GaAs на эффективность электролюминесценции // ФТП. 2005. Т.39. В.1. С.25-29.
  • И.А Карпович, А.В. Здоровейщев, С.В. Тихов, П.Б. Демина, О.Е. Хапугин / Влияние электрохимической модификации тонкого покровного слоя Ga(In)As на энергетический спектр квантовых точек InAs/GaAs // ФТП. 2005. Т.39. В.1. С.45-48.
  • Д.И. Тетельбаум, О.Н. Горшков, А.П. Касаткин, А.Н. Михайлов, А.И. Белов, Д.М. Гапонова, С.В. Морозов / О влиянии процесса коалесценции и характера исходного оксида на фотолюминесценцию ионно-синтезированных нанокристаллов Si в SiO2 // ФТТ. – 2005. – Т.41, №1. – С.17-21. [D.I. Tetelbaum, O.N. Gorshkov, A.P. Kasatkin, A.N. Mikhaylov, A.I. Belov, D.M. Gaponova, S.V. Morozov / Effect of coalescence and of the character of the initial oxide on the photoluminescence of ion-synthesized Si nanocrystals in SiO2 // Phys. Sol. State. – 2005. – Vol.47, №1. – P.13-17.]
  • Г.А. Качурин, В.А. Володин, Д.И. Тетельбаум, Д.В. Марин, А.Ф. Лейер, А.К. Гутаковский, А.Г. Черков, А.Н. Михайлов / Формирование кремниевых нанокристаллов в слоях SiO2 при имплантации ионов Si с промежуточными отжигами // ФТП. – 2005. – Т.39, №5. – С.582-586. [G.A. Kachurin, V.A. Volodin, D.I. Tetel'baum, D.V. Marin, A.F. Leer, A.K. Gutakovski, A.G. Cherkov, A.N. Mikhaylov / The formation of silicon nanocrystals in SiO2 layers by the implantation of Si ions with intermediate heat treatments // Semiconductors. – 2005. – Vol.39, №5. – P.552-556.]
  • О.Н. Горшков, Ю.А. Дудин, В.А. Камин, А.П. Касаткин, А.Н. Михайлов, В.А. Новиков, Д.И. Тетельбаум / Фотолюминесценция в пленках Si0.9Ge0.1O2 и GeO2, облученных ионами кремния // Письма в ЖТФ. – 2005. – Т.31, №12. – С.39-47. [O.N. Gorshkov, Yu.A. Dudin, V.A. Kamin. A.P. Kasatkin, A.N. Mikhaylov, V.A. Novikov, D.I. Tetelbaum / Photoluminescence of Si0.9Ge0.1O2 and GeO2 films irradiated with silicon ions // Tech. Phys. Lett. – 2005. Vol.31, №6. – P.509-512.]
  • Г.А. Качурин, С.Г. Черкова, В.А. Володин, Д.В. Марин, Д.И. Тетельбаум, H. Becker / Влияние имплантации ионов бора и последующих отжигов на свойства нанокристаллов Si // ФТП. – 2006. – Т.40, №1. – С.75-81. 

2004 г. 

  • И.А. Карпович, С.В. Тихов, Н.В. Байдусь, Б.Н. Звонков, А.П. Горшков, Е.Л. Шоболов / Фотоэлектрические свойства диодов Шоттки на основе квантово - размерных структур GaAs/InGaAs/InAs. // Известия АН (серия физическая).- 2004. - 68, №1, -С. 90 – 92.
  • И.А. Карпович, Б.Н. Звонков, С.Б. Левичев, Н.В. Байдусь, С.В. Тихов, Д.О. Филатов, А.П. Горшков, С.Ю. Ермаков / Управление энергетическим спектром квантовых точек InAs/GaAs изменением толщины и состава тонкого двойного покровного слоя GaAs/InGaAs // ФТП – 2004. -38, №4. – С. 448 - 454.
  • В.П. Мишкин, Д.О. Филатов, С.М. Некоркин, Ю.В. Кутергина. / Влияние селективного химического травления на диаграмму направленности излучения полупроводникового лазера // ЖТФ, 2004. 74, 78. 
  • D.O.Filatov, G.A.Maximov, V.P.Mishkin, V.V.Levichev, V.I.Nekorkin, S.V. Morozov / Investigation of two frequency laser diodes by spectrum resolved Scanning Near-Field Optical Microscopy // Phys. Low–Dim. Struct., 2004, Issue 1/2, p.173.
  • D.A.Antonov, O.N. Gorshkov, A.P. Kasatkin, G.A.Maximov, D.A.Saveliev, D.O.Filatov / Investigation of the electronic properties of the Zr nanoclusters in the YSZ films by Combined STM/AFM // Phys. Low–Dim. Struct., 2004 Issue 1/2, p.139.  
  • Горшков О.Н., Дмитрюк А.В., Камин В.А., Касаткин А.П., Михайлов М.Д., Новиков В.А., Чигинева А.Б., Чигиринский Ю.И. / Особенности подавления люминесценции эрбия в пленках на основе фосфатных стекол при облучении ионами водорода. // Письма в ЖТФ, 2004, Т.30, вып.8, С.46-52  
  • Karpovich, I.A. B.N. Zvonkov, N.V. Baidus, S.V. Tikhov, D.O. Filatov / Tuning the energy spectrum of the InAs/GaAs quantum dot structures grown by MOVPE by varying the thickness and composition of a thin double GaAs/InGaAs cladding layer. // Trends in Nanotechnology Research. Ed. E.V. Dirote, Nova Science Publishers, Inc., NY, 2004, P. 173 – 208.
  • K.P. Gaikovich, V.F. Dryakhlushin, D.E. Nikolichev / Deconvolution of Auger Spectroscopy and Electron Microscopy Images // Physics of Low Dimensional Structures, 1/2 (2004) p.91.
  • Борман В.Д., Лебидько В.В., Пушкин М.А., Смуров И.Ю., Тронин В.Н., Троян В.И / Сингулярность в спектре рассеяния медленных ионов на нанокластерах металлов // Письма в ЖЭТФ, том 80, вып.8, с.633-638.
  • Vorontsov D.A., Portnov V.N., Filatov D.O. // An International Journal of Petrology, Geochemistry and Mineralogy // Supplement to V. 73, Nos.12 (2004), S.117.
  • Шиляев П.А., Павлов Д.А., Хохлов А.Ф. / Методы расчета фрактальной размерности СЗМ изображений // Микросистемная техника. – 2004.-№3.-С.35-38.
  • Светлов С.П., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф., Красильникова Л.В., Степихова М.В., Павлов Д.А., Павлов Т.В., Шиляев П.А., Хохлов А.Ф. / Структурные и фотолюминесцентные свойства гетероэпитаксиальных слоев кремния на сапфире // Физика твердого тела, 2004.- т.46.-вып.1. – С.15-17.
  • Д.И. Тетельбаум, О.Н. Горшков, С.А. Трушин, А.Н. Михайлов, Д.Г. Ревин, Д.М. Гапонова и В. Экштайн / Влияние дозы, температуры отжига и донорной примеси на интенсивность фотолюминесценции нановключений кремния в SiO2 при ионной имплантации // Известия ВУЗов. Материалы электронной техники. 2004. №4. С.32-36.
  • Н.В. Востоков, З.Ф. Kрасильник, Д.Н. Лобанов, A.В. Новиков, М.В. Шалеев, A.Н. Яблонский / Фотолюминесценция GeSi/Si(001) самоорганизующихся наноостровков различной формы // ФТТ 46, стр.63-66, 2004.
  • М.Я. Валах, В.Н. Джаган, П.М. Литвин, В.А. Юхимчук, З.Ф. Красильник, А.В. Новиков, Д.Н. Лобанов / Компонентный состав и упругие напряжения в многослойных структурах с наноостровками Si1-xGex // ФТТ 46, стр. 88-90, 2004.
  • М.Я. Валах, В.Н. Джаган, З.Ф. Красильник, П.М. Литвин, Д.Н. Лобанов, Е.В. Моздор, А.В. Новиков, В.А. Юхимчук, А.М. Яремко / Взаимосвязь энергии наноостровков SiGe с их формой и размерами // ФТТ 46, стр. 70-73, 2004.
  • A.V. Novikov, M.V. Shaleev, D.N. Lobanov, A.N. Yablonsky, N.V. Vostokov, Z.F. Krasilnik / Photoluminescence of GeSi/Si(001) self-assembled islands with dome and hut shape // Physica E. 2004. 23, 416-420.
  • A.G. Milekhin, A.I. Nikiforov, M.Yu. Ladanov, O.P. Pchelyakov, D.N. Lobanov, A.V. Novikov, Z.F. Krasil’nik, S. Schulze, and D.R.T. Zahn / Phonons in Ge/Si Quantum Dot Structures: influence of growth temperature // Physica E, 2004. 21/2-4, 464-468.
  • M.S. Dunaevskii, A.N. Titkov Z.F. Krasilnik, A.V. Novikov D.N. Lobanov, R.L. Laiho / Visualization of buried SiGei quantum dots at cleavages by cross-sectional atomic force microscopy // APL. 2004. 85, 1999-2001.
  • С.Н. Плескова, И.А. Зубарева, Е.Н. Сулимова / Проявление активности протея в системе альтернативного каскада комплемента // Сборник научных работ «Актуальные проблемы медицины», Томск, 2004 г., т. 3, №2.
  • С.Н. Плескова, Ю.Ю. Гущина, М.Б. Звонкова / «Изучение литической активности лизоцима слюны в отношении Micrococcus lysodeikticus методом санирующей зондовой микроскопии // Сборник научных работ «Актуальные проблемы медицины», Томск, 2004 г., т. 3, №2.
  • A.V. Zeveke, J. R. A. Plohov, Yu. Gushina, A. N. Ashutov / The investigation of water regime influence on the collagen structure by AFM // Pys. Low-Dim. Struct. (2004) pp. 71-75.
  • S. N. Pleskova, Yu. Yu. Guschina, M. B. Zvonkova / Investigation of the influence of complement system on the various strains of Proteus by methods of atomic force microscopy and luminol-dependent chemiluminescence // Physics of low-dimensional structures, 2004. pp. 77 – 82. 

2003 г. 

  • I.A. Karpovich, A.V. Zdoroveichev, A.N.Gorshkov, D.O. Filatov, R.N. Skvortsov / AFM investigation of the buried InAs/GaAs quantum dots with in situ monitoring of etching process by photoelectric and photoluminesence spectroscopy // Phys. Low-Dim. Structures 2003 3/4 pp. 191-196.
  • В.А. Кульбачинский, Р.А. Лунин, В.А. Рогозин, А.В. Голиков, В.Г. Кытин, Б.Н. Звонков, С.М. Некоркин, Д.О. Филатов, А.де Виссер / Переход квантовый эффект Холла - изолятор в системе InAs/GaAs квантовых точек // ФТТ, 2003, 4, 725-729.
  • Машин А.И., Морозов О.А., Смелова Е.В., Солдатов Е.А. / Обработка интенсивностей рассеяния электронов на аморфном кремнии методами Вейвлет-анализа // Кристаллография. – 2003. – Т. 48. № 4. – С. 598–601.
  • Хохлов А.Ф., Машин А.И., Ершов А.В. Исследование свойств силицина - новой аллотропной формы кремния // Известия Вузов. Электроника. – 2003. - N 1. – С. 5-14.
  • Байдусь Н.В., Бирюков А.А., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Мокеева П.Б., Некоркин С.М., Ускова Е.А. Особенности формирования квантовых точек InAs/GaAs в присутствии CCl4 // Известия АН. Сер.физическая. – 2003. - T.67. B. 2. - C.208-210.
  • С.В.Тихов, Е.Л.Шоболов и др. / Влияние водорода на фотоэлектрические свойства ДШ Pd/AO/GaAs. // ЖТФ, 2003, 73(2), 87.
  • С.В.Тихов, Е.Л.Шоболов и др / Влияние модификации поверхности полупроводника на свойства водородочувствительных ДШ на GaAs // ЖТФ, 2003, 73(5), 69.
  • Г.А.Максимов, Д.О.Филатов, А.В.Круглов, Д.А.Антонов, А.Н.Киселев, Д.Е.Николичев / Исследование распределения электрического потенциала на поверхности микроэлектронных структур методами сканирующей зондовой микроскопии // Известия вузов. Электроника – 2003.- №1 - С.84
  • Д.И. Тетельбаум, А.А. Ежевский, А.Н. Михайлов / Экстремальное поведение концентрации парамагнитных центров, обусловленных оборванными связями в Si, при ионном облучении, как свидетельство наноструктурирования // ФТП. - 2003.- Т.37. В.11. С.1380-1382.
  • Шиляев П.А., Павлов Д.А., Хохлов А.Ф, Шенгуров В.Г. Связь фрактальной размерности и свойств поверхности поликристаллического кремния // Микросистемная техника. 2003. №6. С.10-12.
  • С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, В.Г. Шенгуров, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, Л.В. Красильникова, М.В. Степихова, Д.А. Павлов, Т.В. Павлова, П.А. Шиляев, А.Ф. Хохлов / Структура и свойства эпитаксиальных слоев кремния на сапфире, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Материалы электронной техники. Известия вузов. №2, -2003. С.27-30.
  • D.I. Tetelbaum, A.A. Ezhevskii, S.A. Trushin, A.N. Mikhaylov, A.Yu. Azov, A.K. Mukhamatullin, S.E. Akis, D.M. Gaponova The room temperature photoluminescence of Si nanocrystals in a-Si matrix composite system produced by the irradiation of silicon with ions of high and medium masses // Material Science and Engineering B.-2003. -V.101. No.1-3. P.279-282.
  • D.I. Tetelbaum, A.A. Ezhevskii, A.N. Mikhaylov An extremal behavior of the concentration of paramagnetic centers caused by broken bonds in Si under ion irradiation as an evidence of nanostructuring // Semiconductors. -2003. - V.37. No.11. -P.1342-1344.
  • Михайлов А.С., Нежданов А.В., Медынцев Л.А., Машин А.И., Хохлов А.Ф. / Электронная структура и оптические свойства ионно-имплантированного кремния // Вестник Нижегородского университета. – 2003. – В.1(6). – С. 12–20.
  • Новожилов С.Е., Ершов А.В., Путин И.А. Электроперенос в пленках аморфного кремния с малыми добавками германия, легированных сурьмой и алюминием // В кн.: Структура и свойства твердых тел. Сб. науч. труд. ННГУ. – В. 7. – Н. Новгород: ННГУ, 2003. – С. 68-74.
  • Ю.С. Логушкова, Е.И. Малышева, С.М. Некоркин, И.А. Карабанова, А.В. Ершов / АСМ-исследования и оптические свойства оксидных пленок для многослойных просветляющих покрытий // В кн.: Структура и свойства твердых тел. Сб. науч. труд. ННГУ. – В. 7. – Н. Новгород: ННГУ, 2003. – С. 128-133.
  • A. Karpovich, A.V. Zdoroveichev, A.P. Gorshkov, .D.O. Filatov, R.N. Skvortsov. AFM Investigation of the Buried InAs/GaAs Quantum Dots with in situ Monitoring of Etching Process by Photoelectric and Photoluminescence Spectroscopy. Phys. Low-Dim. Struct. 3/4. 2003. pp. 191-196.
  • D.O. Filatov, I.A. Karpovich, T.V. Shilova. Polarization Dependence of the Photocurrent in the Schottky Barrier Diodes Based on the InGaAs/GaAs Quantum Well Structures. .Phys. Low-Dim. Struct. 2003. 1/2. P. 143-156.
  • И.А. Карпович, Н.В. Байдусь, Б.Н. Звонков, С.Б. Левичев, С.В. Тихов, Д.О. Филатов, А.П. Горшков, С.Ю. Ермаков. Фотоэлектронные свойства гетеронаноструктур GaAs/InAs с комбинированными слоями квантовых ям и точек, выращенных газофазной МОС-гидридной эпитаксией. Труды 3-го рабочего совещания по проекту НАТО SfP – 973799 Полупроводники. Разработка радиационно стойких полупроводниковых приборов для систем связи. Н. Новгород. Изд-во ТАЛАМ. 2003. С. 72 – 83.
  • С.М. Некоркин, Н.В. Байдусь, А.В. Ершов, С.А. Ахлестина, Б.Н. Звонков / Способ подавления широкого луча в лазере с выходом излучения через подложку // В кн.: Труды 3-го Сов. по проекту НАТО SfP-973799 "Полупроводники" / Под ред. А.В. Якимова. - Н.Новгород: ТАЛАМ, 2003. - С. 96-101.
  • Левичев В.В., Максимов Г.А., Мишкин В.П., Филатов Д.О Сопоставление топографии излучающей поверхности полупроводникового лазера и пространственной структуры его излучения в ближнем поле // Микросистемная техника. 2003. – 10.

2002 г.

  • И.А. Карпович, С.Б. Левичев, С.В. Морозов, Б.Н. Звонков, Д.О. Филатов, А.П. Горшков, С.Ю. Ермаков / Фотоэлектрическая спектроскопия гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs в системе полупроводник/электролит // Известия АН (Сер. Физ.), 2002, 66, №2, 186188. 
  • I.A. Karpovich, S.B. Levichev, S.V. Morozov, B.N. Zvonkov, D.O. Filatov, A.P. Gorshkov and A.Yu. Ermakov / Photoelectric spectroscopy of InAs/GaAs quantum dot structures in a semiconductor/electrolyte system // Nanotechnology, 2002. 13, Р. 445-450.
  • F. Khokhlov, A. I. Mashin / On silicon allotropy // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, Vol. 4, No. 3, С. 523-534, 2002.
  • А.Ф. Хохлов, А.И. Машин / Аллотропия кремния: Монография, Н. Новгород: Изд-во ННГУ, С. 222, 2002.
  • С.В. Тихов, Д.А. Павлов, П.А. Шиляев, Е.Л. Шоболов, А.А.Оськин / Увеличение чувствительности к водороду кремниевого диода Шоттки путем модификации микрорельефа поверхности полупроводника // Письма в ЖТФ, 2002, 28, №9, 1-5.
  • И.А. Карпович, С.В. Тихов, Е.Л. Шоболов, Б.Н. Звонков / Водородочувствительная структура на полуизолирующем арсениде галлия // Письма в ЖТФ, 2002, 28, №8, 28-33.
  • И.А. Карпович, С.В.Тихов, Е.Л.Шоболов, Б.Н. Звонков / Влияние водорода на фотоэлектронные свойства гетероструктур с квантовыми ямами GaAs/InGaAs и островковым слоем палладия на поверхности // ЖТФ, 2002, 72, №10, 63-66.
  • И.А. Карпович, С.В. Тихов, Е.Л. Шоболов, Б.Н. Звонков / Влияние водорода на свойства диодных структур с квантовыми ямами Pd/GaAs/InGaAs // ФТП, 2002, 36, №5, 582-586.
  • М.Н. Бочкарев, И.И. Брежнева, М.А. Каткова, Ю.Д. Семчиков, Г.А. Максимов, Ю.Ю. Гущина, А.Г. Витухновский. Л.С. Лепнев / Внутримолекулярное наполнение in situ сверхразветвленного перфторированного полифенилполигермана фторидами лантаноидов // Высокомолекулярные соединения, 2002, серия А, т. 44, №1, С.104-111.
  • В.Г. Шенгуров, С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, Г.А. Максимов, З.Ф. Красильник, Б.А. Андреев, Ю.Н. Дроздов / Формирование излучающих трехмерных островков в эпитаксиальных слоях Si1-xGex при сублимации кремния в среде Германа // Микросистемная техника, 2002, №1, С.28-29.
  • В.Г. Шенгуров, С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, Г.А. Максимов, З.Ф. Красильник, Б.А. Андреев / Сегрегация эрбия в слоях кремния, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией // Неорганические материалы, 2002, т. 38, №5, С. 519-523.
  • А.Н. Киселев, Г.А. Максимов, В.А. Перевощиков, В.Д. Скупов, Д.О. Филатов / Влияние гамма-облучения на микроморфологию поверхности пленок кремния на сапфире // Микроэлектроника, 2002, т.31, №4, С.314-318.
  • С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, В.Г. Шенгуров, Г.А. Максимов, З.Ф. Красильник, Б.А. Андреев, Д.В. Шенгуров / Совместное легирование эрбием и кислородом кремниевых слоев в процессе МЛЭ // Изв. Высших учебных заведений; Материалы электронной техники, 2002, №2, С.27-32.
  • Г.Г. Девятых, А.В. Гусев, А.Ф. Хохлов, Г.А. Максимов, А.А. Ежевский, Д.В. Гусейнов, Е.М. Дианов / Изотопные эффекты в электронном парамагнитном резонансе кремния // Неорганические материалы, 2002, т.38, №4, С403-408.
  • V.N. Chuvil'deev, V.I. Kopylov, W. Zeiger / Non-equlibrium grain boundaries. Theory and its applications for describing nano- and microcrystalline materials processed by ECAP // Ann.Chim.Sci.Mat., 2002, 27(3), Pp.55-64.
  • V.N. Perevezentsev, V.N. Chuvil'deev, V.I. Kopylov, A.N. Sysoev, T.G. Langdon / Developing high strain rate superplasticity in Al-Mg-Sc-Zr alloys using equal-channel angular pressing // Ann.Chim.Sci.Mat., 2002, 27(3), P. 36-44.
  • А.В. Нохрин, И.М. Макаров / Методика исследования зеренной структуры нано- и микрокристаллических металлов методом атомно-силовой микроскопии // Заводская лаборатория, 2002, т.68, №1, C.70-79.
  • А.В.Нохрин, В.Н.Чувильдеев, В.И.Копылов / Процессы микропластической деформации в нано- и микрокристаллических металлах. Эффект аномального упрочнения // Сборник научных работ "Структура и свойства твердых тел", ННГУ, 2002, C.105-112.
  • В.Н. Чувильдеев, О.Э. Пирожникова, А.В. Петряев / Микромеханизмы зернограничного возврата при отжиге после деформации. Возврат диффузионных свойств границ зерен / Микросистемная техника, 2002, №7, C.18-23.
  • В.Н. Чувильдеев, В.И.Копылов, А.В.Нохрин, И.М.Макаров, В.А. Кукареко / Рекристаллизация в нано- и микрокристаллических металлах, полученных методами РКУ-прессования // Микросистемная техника, 2002, №9, C.21-32.
  • A.V. Zenkevich, M.A. Pushkin, V.N. Tronin, V.I. Troyan, V.N. Nevolin, G.A. Maximov, D.O. Filatov, E. Lægsgaard / Formation of Au Fractal Nanoclusters During Pulsed Laser Deposition on HOPG // Phys.Rev.B. 2002, 65, 073406.
  • G.A. Maximov, D.O. Filatov, Yu.Yu. Gushina, D.A. Antonov, V.N. Nevolin, M.A. Pushkin, A.V. Zenkevich, V.N. Tronin, V.I. Troyan / STM investigation of fractal Au nanoclusters on HOPG surface grown by Pulsed Laser Deposition // Phys.Low-Dim.Struct., 5/6. 2002. P.223-230.
  • Д.А.Павлов, А.В.Питиримов, А.Ф.Хохлов, В.Г. Шенгуров / Формирование гексагональной фазы в плёнках поликремния при низкоэнергетическом ионном облучении в процессе осаждения // Поверхность. 2002, № 4, С. 25-26.
  • D.A. Pavlov, A.F. Khokhlov, V.G. Shengurov, P.A. Shilyaev / Correlation between fractal dimension and properties of polycrystalline Si surface // Phys. Low-Dim. Struct. 2002, V. 5/6, P. 147-152.
  • М.Я. Валах, Н.В. Востоков, С.А. Гусев, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, Д.Н.Л обанов, Л.Д. Молдавская, А.В. Новиков, В.В. Постников, М.В. Степихова, Н. Усами, Ю. Шираки, В.А. Юхимчук / Влияние диффузии Si на рост, параметры и фотолюминесценцию GeSi/Si(001) самоорганизующихся наностровков // Известия Академии наук: Серия физическая, 2002, т. 66, №2, С.160-163.
  • Z.F. Krasil’nik, P. Lytvyn, D.N. Lobanov, N. Mesters, A.V. Novikov, J. Pascual, M.Ya.V alakh, V.U. Yukhymchuk / Microscopic and optical investigation of Ge nanoislands on silicon substrates // Nanotechnology 2002, v.13, P.81-85.
  • S.A. Trushin, A.N. Mikhailov, D.I. Tetelbaum, O.N. Gorshkov, D.G. Revin, D.M. Gaponova / The optimization of photoluminescence properties of ion-implantation-produced nanostructures on the base of Si inclusions in SiO2 matrix // Surface and Coatings Technology. 2002. V.158-159. P. 717-719.
  • И.А. Карпович, С.Б. Левичев, С.В. Морозов, Б.Н. Звонков, Д.О. Филатов, А.П. Горшков, С.Ю. Ермаков / Фотоэлектрическая спектроскопия гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs в системе полупроводник/электролит // Известия АН (Сер. Физ.), 2002, 66, №2, 186188.
  • I.A. Karpovich, S.B. Levichev, S.V. Morozov, B.N. Zvonkov, D.O. Filatov, A.P. Gorshkov and A.Yu. Ermakov / Photoelectric spectroscopy of InAs/GaAs quantum dot structures in a semiconductor/electrolyte system // Nanotechnology, 2002. 13, Р. 445-450.
  • А.F. Khokhlov, A. . Mashin / On silicon allotropy // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, Vol. 4, No. 3, С. 523-534, 2002.
  • С.В. Тихов, Д.А. Павлов, П.А. Шиляев, Е.Л. Шоболов, А.А. Оськин / Увеличение чувствительности к водороду кремниевого диода Шоттки путем модификации микрорельефа поверхности полупроводника // Письма в ЖТФ, 2002, 28, №9, 1-5. 
  • И.А. Карпович, С.В. Тихов, Е.Л. Шоболов, Б.Н. Звонков / Водородочувствительная структура на полуизолирующем арсениде галлия // Письма в ЖТФ, 2002, 28, №8, 28-33.
  • И.А. Карпович, С.В. Тихов, Е.Л. Шоболов, Б.Н.З вонков / Влияние водорода на фотоэлектронные свойства гетероструктур с квантовыми ямами GaAs/InGaAs и островковым слоем палладия на поверхности // ЖТФ, 2002, 72, №10, 63-66.
  • И.А. Карпович, С.В. Тихов, Е.Л. Шоболов, Б.Н. Звонков / Влияние водорода на свойства диодных структур с квантовыми ямами Pd/GaAs/InGaAs // ФТП, 2002, 36, №5, 582-586.
  • М.Н. Бочкарев, И.И. Брежнева, М.А. Каткова, Ю.Д. Семчиков, Г.А. Максимов, Ю.Ю. Гущина, А.Г. Витухновский. Л.С. Лепнев / Внутримолекулярное наполнение in situ сверхразветвленного перфторированного полифенилполигермана фторидами лантаноидов // Высокомолекулярные соединения, 2002, серия А, т. 44, №1, С.104-111.
  • В.Г. Шенгуров, С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, Г.А. Максимов, З.Ф. Красильник, Б.А. Андреев, Ю.Н. Дроздов / Формирование излучающих трехмерных островков в эпитаксиальных слоях Si1-xGex при сублимации кремния в среде Германа // Микросистемная техника, 2002, №1, С.28-29.
  • В.Г. Шенгуров, С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, Г.А. Максимов, З.Ф. Красильник, Б.А. Андреев / Сегрегация эрбия в слоях кремния, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией // Неорганические материалы, 2002, т. 38, №5, С. 519-523.
  • А.Н. Киселев, Г.А. Максимов, В.А. Перевощиков, В.Д. Скупов, Д.О. Филатов / Влияние гамма-облучения на микроморфологию поверхности пленок кремния на сапфире // Микроэлектроника, 2002, т.31, №4, С.314-318.
  • С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, В.Г. Шенгуров, Г.А. Максимов, З.Ф. Красильник, Б.А. Андреев, Д.В. Шенгуров / Совместное легирование эрбием и кислородом кремниевых слоев в процессе МЛЭ // Изв. Высших учебных заведений; Материалы электронной техники, 2002, №2, С.27-32.
  • V.N. Perevezentsev, V.N. Chuvil'deev, V.I. Kopylov, A.N. Sysoev, T.G. Langdon / Developing high strain rate superplasticity in Al-Mg-Sc-Zr alloys using equal-channel angular pressing // Ann.Chim.Sci.Mat., 2002, 27(3), P. 36-44.
  • А.В. Нохрин, И.М. Макаров / Методика исследования зеренной структуры нано- и микрокристаллических металлов методом атомно-силовой микроскопии // Заводская лаборатория, 2002, т.68, №1, C.70-79.
  • А.В. Нохрин, В.Н. Чувильдеев, В.И. Копылов / Процессы микропластической деформации в нано- и микрокристаллических металлах. Эффект аномального упрочнения // Сборник научных работ "Структура и свойства твердых тел", ННГУ, 2002, C.105-112.
  • В.Н.Чувильдеев, О.Э.Пирожникова, А.В. Петряев / Микромеханизмы зернограничного возврата при отжиге после деформации. Возврат диффузионных свойств границ зерен // Микросистемная техника, 2002, №7, C.18-23.
  • В.Н. Чувильдеев, В.И.Копылов, А.В.Нохрин, И.М.Макаров, В.А. Кукареко / Рекристаллизация в нано- и микрокристаллических металлах, полученных методами РКУ-прессования // Микросистемная техника, 2002, №9, C.21-32.
  • D.A. Pavlov, A.F. Khokhlov, V.G. Shengurov, P.A. Shilyaev / Correlation between fractal dimension and properties of polycrystalline Si surface // Phys. Low-Dim. Struct. 2002, V. 5/6, P. 147-152.