Публикации 2007-2011 г.г.

2011
  • Gan’shina E.A., Golik L.L., Kovalev V.I., Kun’kova Z.E., Temiryazeva M.P., Danilov Yu.A., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Rubacheva A.D., Tcherbak P.N., Vinogradov A.N. / On Nature of Resonant Transversal Kerr Effect in InMnAs and GaMnAs Layers // Solid State Phenomena. – 2011. – V.168-169. – P.35-38.  
  • Danilov Yu.A., Drozdov Yu.N., Dorokhin M.V., Kulakovskii V.D., Prokof’eva M.M., Zaitsev S.V., Zvonkov B.N. / Fabrication and Study of Spin Light-Emitting Nanoheterostructures on the Basis of III-V Semiconductors // Solid State Phenomena. – 2011. – V.168-169. – P.55-58.  
  • Danilov Y.A., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. / Ferromagnetic Semiconductors and Half-Metal Compounds Obtained by Laser Deposition // Solid State Phenomena. – 2011. – V.168-169. – P.245-248.  
  • Samantilleke A.P., Rebouta L., Garim V., Rubio-Pena L., Lanseros-Mendez S., Alpuim P., Karvalho S., Kudrin A.V., Danilov Yu.A. / Cohesive strength of nanocrystalline ZnO:Ga thin films deposited at room temperature // Nanoscale Research Letters. – 2011. – V.6. – P.309, 1-5.  
  • Gazoto A.L., Brasil M.J.S.P., Iikawa F., Brum J.A., Ribeiro E., Danilov Yu.A., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. / Enhanced magneto-optical oscillations from two-dimensional hole-gases in the presence of Mn ions // Applied Physics Letters. – 2011. – V.98. – P.251901, 1-3.  
  • Горшков А.П., Карпович И.А., Филатов Д.О., Павлова Е.Д., Дорохин М.В. / Влияние дельта-слоя Mn на спектры фоточувствительности структур с квантовыми ямами InxGa1 – xAs/GaAs// Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2011. - В.6. - С.63-66.  
  • Кудрин А.В., Дорохин М.В., Данилов Ю.А., Малышева Е.И. / Светодиоды на основе гетероструктур InGaAs/GaAs с магнитоуправляемой электролюминесценцией // Письма в журнал технической физики. – 2011. – Т.37, в.24. – С.57-65.  
  • Дмитриев А.И., Таланцев А.Д., Зайцев С.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Звонков Б.Н., Коплак О.В., Моргунов Р.Б. / Фотолюминесцентный отклик квантовой ямы на изменение магнитного поля дельта-слоя Mn в гетероструктурах InGaAs/GaAs // Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики. – 2011. – Т.140, в.1(7). – С.158-169.  
2010 

  • Ахлестина С.А., Васильев В.К., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Некоркин С.М. / Изменение длины волны излучения InGaAs/GaAs/InGaP лазеров посредством ионной имплантации // Письма в ЖТФ. – 2010. - Т.36, в.4. - С.81-87.
  • Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дроздов Ю.Н., Кудрин А.В., Левчук С.А., Питиримова Е.А., Сапожников М.В. / Формирование слоев полуметаллов MnAs и MnP для структур спинтроники // Изв. РАН. Сер. Физическая. - 2010. - Т.74, в.1. – С.23-25.  
  • Дорохин М.В., Дёмина П.Б., Байдусь Н.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Прокофьева М.М. / Инжекционная электролюминесценция в квантово-размерных структурах InGaAs/GaAs с контактом металл/полупроводник и металл/окисел/полупроводник // Поверхность. Рентгеновские, нейтронные и синхротронные исследования. – 2010. – В.5. – С.34-39.  
  • Кудрин А.В., Вихрова О.В., Данилов Ю.А. /Анизотропное магнетосопротивление и планарный эффект Холла в GaAs структуре с дельта-легированным Mn слоем // Письма в Журнал Технической Физики. – 2010. – Т.36, в.11. – С.46-53.  
  • Дорожкин С.И., Скворцова М.О., Кудрин А.В., Звонков Б.Н., Данилов Ю.А., Вихрова О.В. / Биения осцилляций Шубникова-де Газа в двумерной дырочной системе в квантовой яме InGaAs // Письма в ЖЭТФ. – 2010. – Т.91, в.6. – С.312-317.  
  • Дорохин М.В., Данилов Ю.А., Прокофьева М.М., Шолина А.Е. / Температурная стабильность фотолюминесценции в гетероструктурах с InGaAs/GaAs квантовой ямой и акцепторным дельта<Mn>-слоем в GaAs барьере // Письма в журнал технической физики. – 2010. – Т.36, в.17. – С.87-95.  
  • Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дроздов Ю.Н., Кудрин А.В., Сапожников М.В. / Формирование слоев MnAs и MnP методом реактивного лазерного распыления // Известия РАН. Серия Физическая. – 2010. – Т.74, в.10. – С.1494-1496.  
  • Звонков Б.Н., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дроздов Ю.Н., Кудрин А.В., Сапожников М.В. / Влияние напряжений сжатия и растяжения в слоях GaMnAs на их магнитные свойства // Физика твердого тела. – 2010. – Т.52, в.11. – С.2124-2127.  
  • Прокофьева М.М., Дорохин М.В., Данилов Ю.А., Кудрин А.В., Вихрова О.В. / Электролюминесценция квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs с ферромагнитными инжекторами вида (A3,Mn)B5 и Ni // Физика и техника полупроводников. – 2010. – Т.44, в.11. – С.1447-1450.  
  • Perov A.A., Solnyshkova L.V., Khomitsky D.V. / Terahertz radiation-induced conductivity, Kerr and Faraday angles, and spin textures in a two-dimensional electron gas with spin-orbit coupling subjected to a high magnetic field and periodic potential // Phys. Rev. B. – 2010. – V.82. – P.165328.  
  • Дорохин М.В., Зайцев С.В., Бричкин А.С., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кулаковский В.Д., Прокофьева М.М., Шолина А.Е. / Влияние параметров дельта<Mn>-легирования GaAs-барьера на циркулярно поляризованную люминесценцию гетероструктур GaAs/InGaAs // Физика твердого тела. – 2010. – Т.52, в.11. – С.2147-2152.  
  • Горшков А.П., Истомин Л.А., Хапугин О.Е. / Влияние встраивания дельта-слоя Mn на фотоэлектрические спектры гетеронаноструктур с квантовыми ямами и точками In(Ga)As/GaAs // Вестник Нижегородского университета, серия физическая - 2010 - №. 5, ч. 2 - С.  
  • Хапугин О.Е., Горбачева Е.А. / Фотомагнитный эффект в гетеронаноструктурах с квантовой ямой InGaAs/GaAs и дельта-слоем Mn // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки – 2010. – № 4. С. 102-106.  

2009 

  • Тетельбаум Д.И., Михайлов А.Н., Белов А.И., Ершов А.В., Питиримова Е.А., Планкина С.М., Смирнов В.Н., Ковалев А.И., Turan R., Yerci S., Finstad T.G., Foss S. / Свойства наноструктур Al2O3:nc-Si, сформированных путем ионной имплантации кремния в сапфир и аморфные пленки оксида алюминия // Физика твердого тела. 2009. Т. 51. Вып. 2. С. 385 – 392.
  • Карпович И.А., Хапугин О.Е. / Фотомагнитный эффект в гетеронаноструктурах с квантовыми точками и ямами In(Ga)As/GaAs // Известия РАН, серия физическая. 2009. вып.1, т.73, с 119-122.  
  • Жуковский В.Ч., Горшков О.Н., Кревчик В.Д., Семенов М.Б., Грозная Е.В., Филатов Д.О., Антонов Д.А. / Управляемое диссипативное туннелирование во внешнем электрическом поле // ВМУ. Физика. Астрономия. 2009. №1 - С.27 – 31.  
  • Жуковский В.Ч., Дахновский Ю.И., Горшков О.Н., Кревчик В.Д., Семенов М.Б., Смирнов Ю.Г., Чупрунов Е.В., Рудин В.А., Скибицкая Н.Ю., Кревчик П.В., Филатов Д.О., Антонов Д.А., Лапшина М.А., Ямамото К., Шенина М.Е. / Наблюдаемые двумерные туннельные бифуркации во внешнем электрическом поле // ВМУ. 2009. Серия 3. Физика. Астрономия №5 - С.3-8.  
  • Демидов Е.С., Добычин Н.А., Карзанов В.В., Марычев М.О., Сдобняков В.В. / Электронный парамагнитный резонанс и фотолюминесценция в пиролитических плёнках нитрида кремния при ионном облучении аргоном и молекулярным азотом // Физика и техника полупроводников 2009. Т. 43. № 7. С. 961–965.  
  • Гуськов С.С., Фаддеев М.А., Чупрунов Е.В. / Статистическое моделирование роста кристалла с учетом его атомной структуры // Вестник ННГУ. 2009. №.6, стр.45-50.  
  • Демидов Е.С., Добычин Н.А., Карзанов В.В., Марычев М.О., Сдобняков В.В. / ЭПР и фотолюминесценция в пиролитических пленках нитрида кремния при ионном облучении аргоном и молекулярным азотом // Физика и техника полупроводников. 2009. Т.47, Вып.7, С. 961-965.  
  • Ezhevskii A.A., Guseinov D.V., Gusev A.V. / Electron paramagnetic resonance spectroscopy of lithium donors in monoisotopic silicon // Physica 2009. B404, pp. 5063-5065.  
  • Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Ershov A.V., Pitirimova E.A., Plankina S.M., Smirnov V.N., Kovalev A.I., Turan R., Yerci S., Finstad T.G., and Foss S. / Properties of Al2O3:nc-Si Nanostructures Formed by Implantation of Silicon Ions into Sapphire and Amorphous Films of Aluminum Oxide // Physics of the Solid State (Low-Dimensional Systems and Surface Physics). 2009. Vol.51, No.2, P. 409-416.  
  • Ершов А.В., Чугров И.А., Тетельбаум Д.И., Андреев С.С., Белов А.И., Вайнер Ю.А., Ершов А.А., Карабанова И.А., Машин А.И., Михайлов А.Н. / Сравнительное исследование люминесцентных свойств многослойных нанопериодических структур a-Si/ZrO2 и a-SiOx/ZrO2, подвергнутых высокотемпературному отжигу и гидрогенизации // Вестник ННГУ. 2009. Серия ФТТ №4. С.45-52.  
  • Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Demina P.B., Dorokhin M.V., Zvonkov B.N., Prokofieva M.M., Drozdov Yu.N., Sapozhnikov M.V. / Light-Emitting Properties of GaAs/InGaAs Quantum wells with a GaAs barrier δ-Doped with Mn Atoms // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics 2009. 73, n.1. – P.11-14.  
  • Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Drozdov Yu.N., Zvonkov B.N., Kudrin A.V., Podol’skii V.V., Sapozhnikov M.V. / Magnetoresistance of Structures with MnAs Layers and A3B5 Semiconductors Heavily Doped with Manganese // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 2009. V.73, n.1. – P.25-27.  
  • Belyakov V.A., Belov A.I., Mikhaylov A.N., Tetelbaum D.I., Burdov V.A. / Improvement of the photon generation efficiency in phosphorus-doped silicon nanocrystals: Г-X mixing of the confined electron states // J. Phys.: Condens. Matter. 2009. V. 21, 045803.  
  • Белов А.И., Беляков В.А., Бурдов В.А., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. / Легирование фосфором как эффективный способ воздействия на излучательную межзонную рекомбинацию в кремниевых нанокристаллах // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2009. №7, 39.  
  • Антонов И.Н., Горшков О.Н., Дудин А.Ю., Шенина М.Е., Касаткин А.П., Камин В.А. / Наведенный показатель преломления в пленках диоксида германия при облучении ионами гелия // Вестник ННГУ. 2009. №4. С. 34-38.  
  • Звонков Б.Н., Бирюков А.А., Некоркин С.М., Алешкин В.Я., Гавриленко В.И., Дубинов А.А., Маремьянин К.В. ,Морозов С.В. / Генерация излучения разностной частоты в двухчиповом лазере // Физика и Техника Полупроводников. 2009. Т.43, в.2., С.220-223.  
  • Алёшкин В.Я., Бирюков А.А., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Некоркин С.М. / Одновременная генерация TE0- и TE1- мод с разными длинами волн в полупроводниковом лазерном диоде // Журнал Технической Физики. 2009. Т.79, в.11., С.150-152.  
  • Здоровейщев А.В., Демина П.Б. Звонков Б.Н. / Влияние периодического прерывания роста квантовых точек InAs/GaAs на их морфологию и оптоэлектронные спектры в методе газофазной эпитаксии при атмосферном давлении // Письма в Журнал Технической Физики. 2009. Т.35, в.2., С.15-20.  
  • Алешкин В.Я., Антонов А.В., Гавриленко В.И. , Гавриленко Л.В., Звонков Б.Н. / Резонансы Фано в спектре примесного фототока в соединении GaAs и в гетероструктуре InGaAs/GaAsP с квантовыми ямами, легированными мелкими акцепторами // Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики. 2009. Т.136, в.3. С.543-549.  
  • Панков М.А., Аронзон Б.А., Рыльков В.В., Давыдов А.Б., Мейлихов Е.З., Фарзетдинова Р.М., Пашаев Э.М., Чуев М.А., Субботин И.А., Лихачев И.А., Звонков Б.Н. , Лашкул А.В., Лайхо Р. / Ферромагнитный переход в структурах GaAs/Mn/InxGa1-xAs/GaAs с двумерным дырочным газом // Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики. 2009. Т.136, в.2. С.346-355.  
  • Ганьшина Е.А., Голик Л.Л., Ковалев В.И., Кунькова З.Э., Звонков Б.Н. , Виноградов А.Н. / Оптическая и магнитооптическая спектроскопия тонких ферромагнитных слоев InMnAs // Поверхность. Рентгеновские, Синхротронные и Нейтронные Исследования. 2009. В.7.,С.12-15.  
  • Minkov G.M., Germanenko A.V., Rut O.E., Sherstobitov A.A., Zvonkov B.N. / Disorder and temperature renormalization of interaction contribution to the conductivity in two-dimensional InxGa1-xAs electron systems // Physical Review B. 2009. V.79. P.235335.  
  • Drachenko O., Kozlov D.V., Aleshkin V.Ya., Gavrilenko V.I., Maremyanin K.V., Ikonnikov A.V., Zvonkov B.N., Goiran M., Leotin J., Fasching G., Winnerl S., Schneider H., Wosnitza J., Helm M. / High-field splitting of the cyclotron resonance absorption in strained p-InGaAs/GaAs quantum wells // Physical Review B. 2009. V.79. P.073301.  
  • Данилов Ю.А., Демина П.Б., Дорохин М.В., Звонков Б.Н., Питиримова Е.А., Прокофьева М.М. / Электролюминесценция диодов Шоттки Ni/AlAs/GaAs/InGaAs/GaAs // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. 2009. В.2., С.44-48.  
  • Домрачев Г.А., Семёнов В.В., Золотарева Н.В., Клапшина Л.Г., Батенькин Б.А., Арапова А.В., Кириллов А.И., Лопатин М.А., Объедков А.М., Горшков О.Н., Касаткин А.П., Михайлов А.Н., Антонов И.Н., Сидоренко К.В., Треушников В.М., Треушников В.В. / Спектрально-люминесцентные и оптические свойства малодефектных органических стёкол, допированных трис(бензоилтрифторацетонатом) европия // Российские нанотехнологии 2009. Т. 4. №3-4. С. 94-104.  
  • Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Демина П.Б., Дорохин М.В., Звонков Б.Н., Прокофьева М.М. / Излучательные свойства квантовых ям GaAs/InGaAs с GaAs барьером, дельта-легированным атомами Mn // Известия РАН. Серия Физическая. 2009. Т.73, в.1., С.16-19.  
  • Danilov Yu.A., Kudrin A.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Drozdov Yu.N, Sapozhnikov M.V., Nicolodi S., Zhiteytsev E.R. , Santos N.M. , Carmo M.C. , Sobolev N.A. / Ferromagnetic semiconductor InMnAs layers grown by pulsed laser deposition on GaAs // J. Phys. D: Appl. Phys. 2009. V.42., P.035006.  
  • Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дроздов Ю.Н., Звонков Б.Н., Кудрин А.В., Подольский В.В., Сапожников М.В. / Магнитосопротивление структур, содержащих слои MnAs и сильнолегированных марганцем полупроводников А3В5 // Известия РАН. Серия Физическая. 2009. Т.73, в.1. – С.30-32.  
  • Zaitsev S.V., Kulakovskii V.D., Dorokhin M.V., Danilov Yu.A., Demina P.B., Sapozhnikov M.V., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N. / Circularly polarized electroluminescence in LED heterostructures with InGaAs/GaAs quantum well and Mn d-layer // Physica E. 2009. V.41, n.4., P.652-654.  
  • Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дорохин М.В., Звонков Б.Н., Калентьева И.Л., Кудрин А.В. / Ферромагнетизм в GaAs структурах с дельта-легированным Mn слоем // Письма в Журнал Технической Физики. 2009. Т.35, в.14., С.8-17.  
  • Зайцев С.В., Дорохин М.В., Бричкин А.С., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Кулаковский В.Д. / Ферромагнитное воздействие δ-<Mn>-слоя в GaAs барьере на спиновую поляризацию носителей в InGaAs/GaAs квантовой яме // Письма в ЖЭТФ. 2009. Т.90, в.10. С.730-735.  
  • Zaitsev S.V., Dorokhin M.V., Demina P.B. , Baidus N.V., Uskova E.A., Zvonkov B.N./ Electrical spin-injection and depolarization mechanisms in forward biased ferromagnetic Schottky diodes // Physica Status Solidi B Basic Solid State Physics. 2009. V.246, n.5. P.1132-1137.  
  • Meldrum A., Lockwood R., Belyakov V.A., Burdov V.A. / Computational simulations for ensembles of luminescent silicon nanocrystals: Implications for optical gain and stimulated emission // Physica E. 2009. V. 41, 955.  
  • Сипрова С.В., Машин А.И., Кидикимо Дж., Де Фильпо Дж., Коробков А.В., Нежданов А.В. / Получение пленок PDLC на основе акриловых мономеров и исследование влияния электрического поля на ориентационную структуру капель жидкого кристалла в пленках PDLC // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2009. №9, C.33-37.  
  • Vikhrova O.V., Danilov Yu.A., Dorokhin M.V., Zvonkov B.N., Kalent’eva I.I., Kudrin A.V. / Ferromagnetism in GaAs Structures with Mn-Delta-Doped Layers // Technical Physics Letters. 2009. V.35, n.7. – P.643-646.  
  • Шиляев П.А., Павлов Д.А., Коротков Е. В., Треушников М.В., Кривулин Н. / Исследование упругих и фрикционных свойств субмикронных слоёв кремния на сапфире // Микро- и наносистемная техника 2009. 1. С. 32 - 34.  
  • Тихов С.В., Шенгуров В.Г., Павлов Д.А., Шиляев П.А., Денисов С.А. / Слабосигнальный эффект поля в слоях кремния на сапфире, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Вестник ННГУ, Серия ФТТ. 2009. №4. С. 39-43.
  • Демидов Е.С., Подольский В.В., Лесников В.П., Левчук С.А., Гусев С.Н., Карзанов В.В., Филатов Д.О. / Аномальный ферромагнитный резонанс в осаждённых из лазерной плазмы слоях германия, легированного марганцем и алюминием // Письма в ЖЭТФ. 2009. Т.90, В.12 с. 852-855.  
  • Khomitsky D.V., Sherman E.Ya. / Nonlinear spin-charge dynamics in a driven double quantum dot // Physical Review B. 2009. V.79, p.245321-1 - 245321-6.  
  • Khomitsky D.V. Electric field-induced spin textures in a superlattice with Rashba and Dresselhaus spin-orbit coupling Physical Review B p.205401-1 - 205401-9 2009.  
  • Хомицкий Д.В. / Немагнитная спинтроника: моделирование спиновых текстур в наноструктурах со спин-орбитальным взаимодействием // Наноструктуры, математическая физика и моделирование 2009. т.1, №1, с.83-113.

2008 

  • Филатов, Д.О., Круглова М.В., Исаков М.А., Сипрова С.В., Марычев M.О., Шенгуров В.Г., Светлов С.П., Чалков В.Ю., Денисов С.А. / Морфология и фотолюминесценция самоформирующихся нанокластеров GeSi/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде германа // Известия РАН: Серия физическая, 2008, т.72, №2, С. 267–270. 
  • Филатов Д.О., Круглова М.В., Исаков М.А., Сипрова С.В., Марычев М.О., Шенгуров В.Г., Светлов С.П., Чалков В.Ю., Денисов С.А.. / Фотолюминесценция самоформирующихся нанокластеров GeSi/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде германа // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Серия физика твердого тела. – 2007. - В 1. – С.42 - 46.  
  • Зенкевич А.В., Лебединский Ю. Ю., Тимофеев А. А., Неволин В. Н., Антонов Д. А., Филатов Д.О., Максимов Г.А. / Формирование сверхтонких нанокомпозитных структур SiO2:Au методом импульсного лазерного осаждения // Перспективные материалы – 2008. №4. –C. 5-12. 
  • Демидов Е.С., Зубков С.Ю., Лесников В.П., Максимов Г.А., Николичев Д.Е., Подольский В.В.. / Анализ тонких слоев магнитных полупроводников на основе Ge:Mn методами рентгеновской фотоэлектронной и Оже-спектроскопии // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2008. - №7, С. 36-40.  

2007

  • Аронзон Б.А., Грановский А.Б., Давыдов А.Б., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Рыльков В.В., Ускова Е.А. / Свойства квантовых ям InGaAs/GaAs с δ<Mn>-легированным слоем в GaAs // Физика твердого тела. - 2007. - т.49, в.1. - С.165-171.
  • Boudinov H., Pesenti G.C., Danilov I., Zvonkov B.N. / Isolation of p-type carbon δ-doped layers in GaAs by ion bombardment // J.Phys.D: Appl.Phys. – 2007. - v.40. - P.132-136.  
  • Аронзон, Б.А., Кульбачинский В.А., Гурин П.В., Давыдов А.Б., Рыльков В.В., Грановский А.Б., Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Звонков Б.Н., Horikoshi Y., Onomitsu K. / Аномальный эффект Холла в -легированных Mn GaAs/In0.17Ga0.83As/GaAs квантовых ямах с высокой подвижности дырок // Письма в ЖЭТФ. – 2007. - т.85, в.1. - С.32-39.  
  • Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Дроздов Ю.Н., Звонков Б.Н., Iikawa F., Brasil M.J.S.P. / Свойства квантово-размерных структур GaAs/InGaAs, содержащих δ<Mn>-легированные слои // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - в.2. - С.9-12.  
  • Кульбачинский В.А., Гурин П.В., Данилов Ю.А., Малышева Е.И., Horikoshi Y., Onomitsu K. / Ферромагнетизм и аномальный транспорт в GaAs, легированном имплантацией ионов Mn и Mg // Физика и техника полупроводников. – 2007. - т.41, в.6. - С.674-678.  
  • Вихрова О.В., Данилов Ю.А., Демидов Е.С., Звонков Б.Н., Ковалев В.И., Кунькова З.Э., Подольский В.В., Сапожников М.В., Сучков А.И., Темирязева М.П. / Ферромагнетизм в слоях GaMnAs, нанесенных методом лазерной эпитаксии // Известия РАН. Сер. Физическая. - 2007. - т.71, в.1- С.37-39.  
  • Демидов Е.С., Подольский В.В., Лесников В.П., Данилов Ю.А., Сапожников М.В., Сучков А.И., Дружнов Д.М. / Новые разбавленные ферромагнетики на основе алмазоподобных полупроводников GaSb, InSb, InAs, Ge и Si, сверхпересыщенных примесями марганца или железа при лазерной эпитаксии // Известия РАН, сер. Физическая. – 2007. - т.71, № 11. - С.1621-1622.  
  • Белов А.И., Ершов А.В., Гапонова Д.М., Михайлов А.Н., Трухин А.А., Лаптев Д.А., Тетельбаум Д.И. /Влияние легирования фосфором и водородом на фотолюминесценцию нанокристаллов кремния в диэлектрической матрице // Вестник ННГУ. Сер. ФТТ. – 2007. – №1. – С.33-39.  
  • Горшков О.Н., Тетельбаум Д.И., Антонов И.Н., Михайлов А.Н., Камин В.А., Касаткин А.П. / Дефектные центры в тонких пленках диоксида германия, облученных ионами кремния // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2007. – №3. – С.10-13.  
  • Терехов В.А., Турищев С.Ю., Кашкаров В.М., Домашевская Э.П., Михайлов А.Н., Тетельбаум Д.И. / Синхротронные исследования электронного строения нанокристаллов кремния в матрице SiO2 // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2007. – №1. –С.61-65.  
  • Terekhov V.A., Turishchev S.Yu., Kashkarov V.M., Domashevskaya E.P., Mikhailov A.N., Tetel’baum D.I. / Silicon nanocrystals in SiO2 matrix obtained by ion implantation under cyclic dose accumulation// Physica E. – 2007. – Vol.38, №1-2. – P.16-20.  
  • Горшков, О.Н., Тетельбаум Д.И., Антонов И.Н., Михайлов А.Н., Камин В.А., Касаткин А.П. / Дефектные центры в тонких пленках диоксида германия, облученных ионами кремния // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. – 2007. – №3. – С.10-13.  
  • Филатов, Д.О., Круглова М.В., Исаков М.А., Сипрова С.В., Шенгуров В.Г., Светлов С.П., Чалков В.Ю., Денисов С.А. / Исследование зависимости морфологии самоформирующихся нанокластеров GeSi/Si, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH4, от условий роста // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки. – 2007. - №1. – С. 71 – 79.  
  • Филатов, Д.О., Круглова М.В., Исаков М.А., Сипрова С.В., Марычев М.О., Шенгуров В.Г., Светлов С.П., Чалков В.Ю., Денисов С.А. / Фотолюминесценция самоформирующихся нанокластеров GeSi/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде германа // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Серия физика твердого тела. – 2007. - В 1. – С.42 - 46.